| Nr. | Nom de partie | Description | Fabricant |
| 49001 | 2N6520 | 0.625W usage général PNP Transistor plastique plomb. 350V VCEO, 0,500A Ic, 20 HFE - | Continental Device India Limited |
| 49002 | 2N6520 | Ic = 500mA, transistor Vce = 10V | MCC |
| 49003 | 2N6520 | Les transistors à haute tension. Tension collecteur-émetteur: VCEO = -350V. Tension collecteur-base: VCBO = -350V. Collector dissipation: Pc (max) = 0.625W. | USHA India LTD |
| 49004 | 2N6520 | PNP SILICON PLANAR MOYENNE PUISSANCE TRANSISTOR | Diodes |
| 49005 | 2N6520BU | Transistor Épitaxial De Silicium de PNP | Fairchild Semiconductor |
| 49006 | 2N6520RL1 | Transistors à haute tension | ON Semiconductor |
| 49007 | 2N6520RLRA | Transistors À haute tension | ON Semiconductor |
| 49008 | 2N6520RLRM | Transistors à haute tension | ON Semiconductor |
| 49009 | 2N6520TA | Transistor Épitaxial De Silicium de PNP | Fairchild Semiconductor |
| 49010 | 2N6530 | Transistor De Puissance Plombé Darlington | Central Semiconductor |
| 49011 | 2N6530 | 8 transistor de puissance NPN Darlington. 80 V. 60 W. gain de 1000 à 5 A. | General Electric Solid State |
| 49012 | 2N6531 | Transistor De Puissance Plombé Darlington | Central Semiconductor |
| 49013 | 2N6531 | 8 transistor de puissance NPN Darlington. 100 V. 60 W. Gain de 500 à 3 A. | General Electric Solid State |
| 49014 | 2N6532 | Transistor De Puissance Plombé Darlington | Central Semiconductor |
| 49015 | 2N6532 | 8 transistor de puissance NPN Darlington. 100 V. 60 W. gain de 1000 à 5 A. | General Electric Solid State |
| 49016 | 2N6533 | Transistor De Puissance Plombé Darlington | Central Semiconductor |
| 49017 | 2N6533 | 8 transistor de puissance NPN Darlington. 120 V. 60 W. gain de 1000 à 3 A. | General Electric Solid State |
| 49018 | 2N6535 | Dispositif Bipolaire de NPN | SemeLAB |
| 49019 | 2N6535 | Dispositif Bipolaire de NPN | SemeLAB |
| 49020 | 2N6537 | Dispositif Bipolaire de NPN | SemeLAB |
| 49021 | 2N6542 | PUISSANCE TRANSISTORS(ä, 100w) | MOSPEC Semiconductor |
| 49022 | 2N6542 | TRANSISTORS DE PUISSANCE DE SILICIUM DE LA SÉRIE NPN DE SWCHMODE | Boca Semiconductor Corporation |
| 49023 | 2N6542 | Usage universel Plombé De Transistor De Puissance | Central Semiconductor |
| 49024 | 2N6542 | 3A puissance de commutation transistor NPN. | General Electric Solid State |
| 49025 | 2N6543 | PUISSANCE TRANSISTORS(ä, 100w) | MOSPEC Semiconductor |
| 49026 | 2N6543 | TRANSISTORS DE PUISSANCE DE SILICIUM DE LA SÉRIE NPN DE SWCHMODE | Boca Semiconductor Corporation |
| 49027 | 2N6543 | Usage universel Plombé De Transistor De Puissance | Central Semiconductor |
| 49028 | 2N6544 | PUISSANCE TRANSISTORS(å, 125w) | MOSPEC Semiconductor |
| 49029 | 2N6544 | Usage universel Plombé De Transistor De Puissance | Central Semiconductor |
| 49030 | 2N6544 | 5A puissance de commutation transistor NPN. | General Electric Solid State |
| 49031 | 2N6545 | PUISSANCE TRANSISTORS(å, 125w) | MOSPEC Semiconductor |
| 49032 | 2N6545 | Usage universel Plombé De Transistor De Puissance | Central Semiconductor |
| 49033 | 2N6545 | 5A puissance de commutation transistor NPN. | General Electric Solid State |
| 49034 | 2N6546 | PUISSANCE TRANSISTORS(1ä, 175w) | MOSPEC Semiconductor |
| 49035 | 2N6546 | TRANSISTORS DE PUISSANCE DE SILICIUM DE LA SÉRIE NPN DE SWITCHMODE | Boca Semiconductor Corporation |
| 49036 | 2N6546 | Usage universel Plombé De Transistor De Puissance | Central Semiconductor |
| 49037 | 2N6546 | MESA NPN DE MULTIEPITAXIAL | ST Microelectronics |
| 49038 | 2N6546 | 10A puissance de commutation transistor NPN. | General Electric Solid State |
| 49039 | 2N6546 | MESA MULTIEPITAXIAL NPN | SGS Thomson Microelectronics |
| 49040 | 2N6547 | TRANSISTOR DE SILICIUM DE LA PUISSANCE ÉLEVÉE NPN | ST Microelectronics |
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