Nr. | Nom de partie | Description | Fabricant |
610721 | KM416V256DJ-7 | 256K x RAM dynamique 16 bits CMOS avec mode page rapide, 70ns, 3.3V | Samsung Electronic |
610722 | KM416V256DLJ-5 | 256K x RAM dynamique 16 bits CMOS avec le mode rapide de la page, 50ns, 3.3V, capacité d'auto-rafraîchissement | Samsung Electronic |
610723 | KM416V256DLJ-6 | 256K x RAM dynamique 16 bits CMOS avec le mode rapide de la page, 60ns, 3.3V, capacité d'auto-rafraîchissement | Samsung Electronic |
610724 | KM416V256DLJ-7 | 256K x RAM dynamique 16 bits CMOS avec le mode rapide de la page, 70ns, 3.3V, capacité d'auto-rafraîchissement | Samsung Electronic |
610725 | KM416V256DLT-5 | 256K x RAM dynamique 16 bits CMOS avec le mode rapide de la page, 50ns, 3.3V, capacité d'auto-rafraîchissement | Samsung Electronic |
610726 | KM416V256DLT-6 | 256K x RAM dynamique 16 bits CMOS avec le mode rapide de la page, 60ns, 3.3V, capacité d'auto-rafraîchissement | Samsung Electronic |
610727 | KM416V256DLT-7 | 256K x RAM dynamique 16 bits CMOS avec le mode rapide de la page, 70ns, 3.3V, capacité d'auto-rafraîchissement | Samsung Electronic |
610728 | KM416V256DT-5 | 256K x RAM dynamique 16 bits CMOS avec mode page rapide, 50ns, 3.3V | Samsung Electronic |
610729 | KM416V256DT-6 | 256K x RAM dynamique 16 bits CMOS avec mode page rapide, 60ns, 3.3V | Samsung Electronic |
610730 | KM416V256DT-7 | 256K x RAM dynamique 16 bits CMOS avec mode page rapide, 70ns, 3.3V | Samsung Electronic |
610731 | KM416V4000B | RAM dynamique de 4M x 16bit CMOS avec le mode rapide de page | Samsung Electronic |
610732 | KM416V4000BS-45 | 4M x 16 bits CMOS RAM dynamique avec mode page rapide, alimentation de 3,3 V, 45ns | Samsung Electronic |
610733 | KM416V4000BS-5 | 4M x 16 bits CMOS RAM dynamique avec mode page rapide, alimentation de 3,3 V, 50ns | Samsung Electronic |
610734 | KM416V4000BS-6 | 4M x 16 bits CMOS RAM dynamique avec mode page rapide, alimentation de 3,3 V, 60ns | Samsung Electronic |
610735 | KM416V4000BS-L45 | 4M x 16 bits CMOS RAM dynamique avec mode page rapide, alimentation de 3,3 V, 45ns, de faible puissance | Samsung Electronic |
610736 | KM416V4000BS-L5 | 4M x 16 bits CMOS RAM dynamique avec mode page rapide, alimentation de 3,3 V, 50 ns, de faible puissance | Samsung Electronic |
610737 | KM416V4000BS-L6 | 4M x 16 bits CMOS RAM dynamique avec mode page rapide, alimentation de 3,3 V, 60ns, de faible puissance | Samsung Electronic |
610738 | KM416V4000C | RAM dynamique de 4M x 16bit CMOS avec le mode rapide de page | Samsung Electronic |
610739 | KM416V4000CS-45 | 4M x 16 bits CMOS RAM dynamique avec mode page rapide, alimentation de 3,3 V, 45ns | Samsung Electronic |
610740 | KM416V4000CS-5 | 4M x 16 bits CMOS RAM dynamique avec mode page rapide, alimentation de 3,3 V, 50ns | Samsung Electronic |
610741 | KM416V4000CS-6 | 4M x 16 bits CMOS RAM dynamique avec mode page rapide, alimentation de 3,3 V, 60ns | Samsung Electronic |
610742 | KM416V4000CS-L45 | 4M x 16 bits CMOS RAM dynamique avec mode page rapide, alimentation de 3,3 V, 45ns, de faible puissance | Samsung Electronic |
610743 | KM416V4000CS-L5 | 4M x 16 bits CMOS RAM dynamique avec mode page rapide, alimentation de 3,3 V, 50 ns, de faible puissance | Samsung Electronic |
610744 | KM416V4000CS-L6 | 4M x 16 bits CMOS RAM dynamique avec mode page rapide, alimentation de 3,3 V, 60ns, de faible puissance | Samsung Electronic |
610745 | KM416V4004B | RAM dynamique de 4M x 16bit CMOS avec des données prolongées dehors | Samsung Electronic |
610746 | KM416V4004BS-45 | RAM dynamique 4M x 16 bits CMOS avec données étendues sur, alimentation de 3,3 V, 45ns | Samsung Electronic |
610747 | KM416V4004BS-5 | RAM dynamique 4M x 16 bits CMOS avec données étendues sur, alimentation de 3,3 V, 50ns | Samsung Electronic |
610748 | KM416V4004BS-6 | RAM dynamique 4M x 16 bits CMOS avec données étendues sur, alimentation de 3,3 V, 60ns | Samsung Electronic |
610749 | KM416V4004BSL-45 | RAM dynamique 4M x 16 bits CMOS avec données étendues sur, alimentation de 3,3 V, 50 ns, de faible puissance | Samsung Electronic |
610750 | KM416V4004BSL-5 | RAM dynamique 4M x 16 bits CMOS avec données étendues sur, alimentation de 3,3 V, 50 ns, de faible puissance | Samsung Electronic |
610751 | KM416V4004BSL-6 | RAM dynamique 4M x 16 bits CMOS avec données étendues sur, alimentation de 3,3 V, 60ns, de faible puissance | Samsung Electronic |
610752 | KM416V4004C | RAM dynamique de 4M x 16bit CMOS avec des données prolongées dehors | Samsung Electronic |
610753 | KM416V4004CS-45 | RAM dynamique 4M x 16 bits CMOS avec données étendues sur, alimentation de 3,3 V, 45ns | Samsung Electronic |
610754 | KM416V4004CS-50 | RAM dynamique 4M x 16 bits CMOS avec données étendues sur, alimentation de 3,3 V, 50ns | Samsung Electronic |
610755 | KM416V4004CS-60 | RAM dynamique 4M x 16 bits CMOS avec données étendues sur, alimentation de 3,3 V, 60ns | Samsung Electronic |
610756 | KM416V4004CS-L45 | RAM dynamique 4M x 16 bits CMOS avec données étendues sur, alimentation de 3,3 V, 45ns, de faible puissance | Samsung Electronic |
610757 | KM416V4004CS-L50 | RAM dynamique 4M x 16 bits CMOS avec données étendues sur, alimentation de 3,3 V, 50 ns, de faible puissance | Samsung Electronic |
610758 | KM416V4004CS-L60 | RAM dynamique 4M x 16 bits CMOS avec données étendues sur, alimentation de 3,3 V, 60ns, de faible puissance | Samsung Electronic |
610759 | KM416V4100B | RAM dynamique de 4M x 16bit CMOS avec le mode rapide de page | Samsung Electronic |
610760 | KM416V4100BS-45 | 4M x 16 bits CMOS RAM dynamique avec mode page rapide, alimentation de 3,3 V, 45ns | Samsung Electronic |
| | | |