Nr. | Nom de partie | Description | Fabricant |
610761 | KM416V4100BS-5 | 4M x 16 bits CMOS RAM dynamique avec mode page rapide, alimentation de 3,3 V, 50ns | Samsung Electronic |
610762 | KM416V4100BS-6 | 4M x 16 bits CMOS RAM dynamique avec mode page rapide, alimentation de 3,3 V, 60ns | Samsung Electronic |
610763 | KM416V4100BS-L45 | 4M x 16 bits CMOS RAM dynamique avec mode page rapide, alimentation de 3,3 V, 45ns, de faible puissance | Samsung Electronic |
610764 | KM416V4100BS-L5 | 4M x 16 bits CMOS RAM dynamique avec mode page rapide, alimentation de 3,3 V, 50 ns, de faible puissance | Samsung Electronic |
610765 | KM416V4100BS-L6 | 4M x 16 bits CMOS RAM dynamique avec mode page rapide, alimentation de 3,3 V, 60ns, de faible puissance | Samsung Electronic |
610766 | KM416V4100C | RAM dynamique de 4M x 16bit CMOS avec le mode rapide de page | Samsung Electronic |
610767 | KM416V4100CS-45 | 4M x 16 bits CMOS RAM dynamique avec mode page rapide, alimentation de 3,3 V, 45ns | Samsung Electronic |
610768 | KM416V4100CS-5 | 4M x 16 bits CMOS RAM dynamique avec mode page rapide, alimentation de 3,3 V, 50ns | Samsung Electronic |
610769 | KM416V4100CS-6 | 4M x 16 bits CMOS RAM dynamique avec mode page rapide, alimentation de 3,3 V, 60ns | Samsung Electronic |
610770 | KM416V4100CS-L45 | 4M x 16 bits CMOS RAM dynamique avec mode page rapide, alimentation de 3,3 V, 45ns, de faible puissance | Samsung Electronic |
610771 | KM416V4100CS-L5 | 4M x 16 bits CMOS RAM dynamique avec mode page rapide, alimentation de 3,3 V, 50 ns, de faible puissance | Samsung Electronic |
610772 | KM416V4100CS-L6 | 4M x 16 bits CMOS RAM dynamique avec mode page rapide, alimentation de 3,3 V, 60ns, de faible puissance | Samsung Electronic |
610773 | KM416V4104B | RAM dynamique de 4M x 16bit CMOS avec des données prolongées dehors | Samsung Electronic |
610774 | KM416V4104BS-45 | RAM dynamique 4M x 16 bits CMOS avec données étendues sur, alimentation de 3,3 V, 45ns | Samsung Electronic |
610775 | KM416V4104BS-5 | RAM dynamique 4M x 16 bits CMOS avec données étendues sur, alimentation de 3,3 V, 50ns | Samsung Electronic |
610776 | KM416V4104BS-6 | RAM dynamique 4M x 16 bits CMOS avec données étendues sur, alimentation de 3,3 V, 60ns | Samsung Electronic |
610777 | KM416V4104BSL-45 | RAM dynamique 4M x 16 bits CMOS avec données étendues sur, alimentation de 3,3 V, 45ns, de faible puissance | Samsung Electronic |
610778 | KM416V4104BSL-5 | RAM dynamique 4M x 16 bits CMOS avec données étendues sur, alimentation de 3,3 V, 50 ns, de faible puissance | Samsung Electronic |
610779 | KM416V4104BSL-6 | RAM dynamique 4M x 16 bits CMOS avec données étendues sur, alimentation de 3,3 V, 60ns, de faible puissance | Samsung Electronic |
610780 | KM416V4104C | RAM dynamique de 4M x 16bit CMOS avec des données prolongées dehors | Samsung Electronic |
610781 | KM416V4104CS-45 | RAM dynamique de 4M x 16bit CMOS avec des données prolongées dehors | Samsung Electronic |
610782 | KM416V4104CS-50 | RAM dynamique 4M x 16 bits CMOS avec données étendues sur, alimentation de 3,3 V, 50ns | Samsung Electronic |
610783 | KM416V4104CS-60 | RAM dynamique 4M x 16 bits CMOS avec données étendues sur, alimentation de 3,3 V, 60ns | Samsung Electronic |
610784 | KM416V4104CS-L45 | RAM dynamique 4M x 16 bits CMOS avec données étendues sur, alimentation de 3,3 V, 45ns, de faible puissance | Samsung Electronic |
610785 | KM416V4104CS-L50 | RAM dynamique 4M x 16 bits CMOS avec données étendues sur, alimentation de 3,3 V, 50 ns, de faible puissance | Samsung Electronic |
610786 | KM416V4104CS-L60 | RAM dynamique 4M x 16 bits CMOS avec données étendues sur, alimentation de 3,3 V, 60ns, de faible puissance | Samsung Electronic |
610787 | KM4170 | À prix réduit, +2.7V Et +5V, Amplificateurs Du Rail-à-Rail I/o | Fairchild Semiconductor |
610788 | KM4170IS5TR3 | À prix réduit/+2.7V Et +5V/Amplificateurs Du Rail-à-Rail I/o | Fairchild Semiconductor |
610789 | KM4170IT5TR3 | À prix réduit/+2.7V Et +5V/Amplificateurs Du Rail-à-Rail I/o | Fairchild Semiconductor |
610790 | KM418RD | 128/144Mbit RDRAM 256K X 16/18 les banques dépendantes du bit X 2*16 dirigent RDRAMTM | Samsung Electronic |
610791 | KM418RD16AC | 128/144Mbit RDRAM 256K X 16/18 les banques dépendantes du bit X 2*16 dirigent RDRAMTM | Samsung Electronic |
610792 | KM418RD16AD | 128/144Mbit RDRAM 256K X 16/18 les banques dépendantes du bit X 2*16 dirigent RDRAMTM | Samsung Electronic |
610793 | KM418RD16C | 128/144Mbit RDRAM 256K X 16/18 les banques dépendantes du bit X 2*16 dirigent RDRAMTM | Samsung Electronic |
610794 | KM418RD16D | 128/144Mbit RDRAM 256K X 16/18 les banques dépendantes du bit X 2*16 dirigent RDRAMTM | Samsung Electronic |
610795 | KM418RD2AC | 128/144Mbit RDRAM 256K X 16/18 les banques dépendantes du bit X 2*16 dirigent RDRAMTM | Samsung Electronic |
610796 | KM418RD2AD | 128/144Mbit RDRAM 256K X 16/18 les banques dépendantes du bit X 2*16 dirigent RDRAMTM | Samsung Electronic |
610797 | KM418RD2C | 128/144Mbit RDRAM 256K X 16/18 les banques dépendantes du bit X 2*16 dirigent RDRAMTM | Samsung Electronic |
610798 | KM418RD2D | 128/144Mbit RDRAM 256K X 16/18 les banques dépendantes du bit X 2*16 dirigent RDRAMTM | Samsung Electronic |
610799 | KM418RD32AC | 128/144Mbit RDRAM 256K X 16/18 les banques dépendantes du bit X 2*16 dirigent RDRAMTM | Samsung Electronic |
610800 | KM418RD32AD | 128/144Mbit RDRAM 256K X 16/18 les banques dépendantes du bit X 2*16 dirigent RDRAMTM | Samsung Electronic |
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