| Nr. | Nom de partie | Description | Fabricant |
| 610961 | KM44C4104A-6 | 60ns; V (cc / in / out): -1 à + 7V; 1W; 4M x 4 bits RAM dynamique CMOS avec données étendues sur | Samsung Electronic |
| 610962 | KM44C4104A-7 | 70ns; V (cc / in / out): -1 à + 7V; 1W; 4M x 4 bits RAM dynamique CMOS avec données étendues sur | Samsung Electronic |
| 610963 | KM44C4104A-8 | 80 ns; V (cc / in / out): -1 à + 7V; 1W; 4M x 4 bits RAM dynamique CMOS avec données étendues sur | Samsung Electronic |
| 610964 | KM44C4104AL-5 | 50ns; V (cc / in / out): -1 à + 7V; 1W; 4M x 4 bits RAM dynamique CMOS avec données étendues sur | Samsung Electronic |
| 610965 | KM44C4104AL-6 | 60ns; V (cc / in / out): -1 à + 7V; 1W; 4M x 4 bits RAM dynamique CMOS avec données étendues sur | Samsung Electronic |
| 610966 | KM44C4104AL-7 | 70ns; V (cc / in / out): -1 à + 7V; 1W; 4M x 4 bits RAM dynamique CMOS avec données étendues sur | Samsung Electronic |
| 610967 | KM44C4104AL-8 | 80 ns; V (cc / in / out): -1 à + 7V; 1W; 4M x 4 bits RAM dynamique CMOS avec données étendues sur | Samsung Electronic |
| 610968 | KM44C4104ALL-5 | 50ns; V (cc / in / out): -1 à + 7V; 1W; 4M x 4 bits RAM dynamique CMOS avec données étendues sur | Samsung Electronic |
| 610969 | KM44C4104ALL-6 | 60ns; V (cc / in / out): -1 à + 7V; 1W; 4M x 4 bits RAM dynamique CMOS avec données étendues sur | Samsung Electronic |
| 610970 | KM44C4104ALL-7 | 70ns; V (cc / in / out): -1 à + 7V; 1W; 4M x 4 bits RAM dynamique CMOS avec données étendues sur | Samsung Electronic |
| 610971 | KM44C4104ALL-8 | 80 ns; V (cc / in / out): -1 à + 7V; 1W; 4M x 4 bits RAM dynamique CMOS avec données étendues sur | Samsung Electronic |
| 610972 | KM44C4104ASL-5 | 50ns; V (cc / in / out): -1 à + 7V; 1W; 4M x 4 bits RAM dynamique CMOS avec données étendues sur | Samsung Electronic |
| 610973 | KM44C4104ASL-6 | 60ns; V (cc / in / out): -1 à + 7V; 1W; 4M x 4 bits RAM dynamique CMOS avec données étendues sur | Samsung Electronic |
| 610974 | KM44C4104ASL-7 | 70ns; V (cc / in / out): -1 à + 7V; 1W; 4M x 4 bits RAM dynamique CMOS avec données étendues sur | Samsung Electronic |
| 610975 | KM44C4104ASL-8 | 80 ns; V (cc / in / out): -1 à + 7V; 1W; 4M x 4 bits RAM dynamique CMOS avec données étendues sur | Samsung Electronic |
| 610976 | KM44C4105C | DRACHME de CAS de quadruple de 4M x 4Bit CMOS avec des données prolongées dehors | Samsung Electronic |
| 610977 | KM44C4105CK-5 | 4M CMOS x 4 bits quad CAS DRAM avec les données étendues sur 50 ns, | Samsung Electronic |
| 610978 | KM44C4105CK-6 | 4M CMOS x 4 bits quad CAS DRAM avec les données étendues sur, 60ns | Samsung Electronic |
| 610979 | KM44C4105CKL-5 | 4M CMOS x 4 bits quad CAS DRAM avec les données étendues sur 50 ns, | Samsung Electronic |
| 610980 | KM44C4105CKL-6 | 4M CMOS x 4 bits quad CAS DRAM avec les données étendues sur, 60ns | Samsung Electronic |
| 610981 | KM44C4105CS-5 | 4M CMOS x 4 bits quad CAS DRAM avec les données étendues sur 50 ns, | Samsung Electronic |
| 610982 | KM44C4105CS-6 | 4M CMOS x 4 bits quad CAS DRAM avec les données étendues sur, 60ns | Samsung Electronic |
| 610983 | KM44C4105CSL-5 | 4M CMOS x 4 bits quad CAS DRAM avec les données étendues sur 50 ns, | Samsung Electronic |
| 610984 | KM44C4105CSL-6 | 4M CMOS x 4 bits quad CAS DRAM avec les données étendues sur, 60ns | Samsung Electronic |
| 610985 | KM44L32031BT | 128CMb DDR SDRAM | Samsung Electronic |
| 610986 | KM44L32031BT-F0 | 128 Mo de DDR SDRAM. Version 0.61, fréq exploitation. 100 MHz, vitesse de 10 ns. | Samsung Electronic |
| 610987 | KM44L32031BT-FY | 128 Mo de DDR SDRAM. Version 0.61, fréq exploitation. 133 MHz, vitesse de 7,5 ns. | Samsung Electronic |
| 610988 | KM44L32031BT-FZ | 128 Mo de DDR SDRAM. Version 0.61, fréq exploitation. 133 MHz, vitesse de 7,5 ns. | Samsung Electronic |
| 610989 | KM44L32031BT-G(F)0 | Version 0,61 De Spécifications de DDR SDRAM | Samsung Electronic |
| 610990 | KM44L32031BT-G(F)Y | Version 0,61 De Spécifications de DDR SDRAM | Samsung Electronic |
| 610991 | KM44L32031BT-G(F)Z | Version 0,61 De Spécifications de DDR SDRAM | Samsung Electronic |
| 610992 | KM44L32031BT-G(L)0 | Version 1,0 De Spécifications de DDR SDRAM | Samsung Electronic |
| 610993 | KM44L32031BT-G(L)Y | Version 1,0 De Spécifications de DDR SDRAM | Samsung Electronic |
| 610994 | KM44L32031BT-G(L)Z | Version 1,0 De Spécifications de DDR SDRAM | Samsung Electronic |
| 610995 | KM44L32031BT-G0 | 128 Mo de DDR SDRAM. Version 0.61, fréq exploitation. 100 MHz, vitesse de 10 ns. | Samsung Electronic |
| 610996 | KM44L32031BT-GY | 128 Mo de DDR SDRAM. Version 0.61, fréq exploitation. 133 MHz, vitesse de 7,5 ns. | Samsung Electronic |
| 610997 | KM44L32031BT-GZ | 128 Mo de DDR SDRAM. Version 0.61, fréq exploitation. 133 MHz, vitesse de 7,5 ns. | Samsung Electronic |
| 610998 | KM44S16030BT-G_F10 | 100MHz; -1,0 À 4.6V; 1W; 50mA; 4M x 4 bits x 4 banques synchrone CMOS SDRAM | Samsung Electronic |
| 610999 | KM44S16030BT-G_F8 | 125MHz; -1,0 À 4.6V; 1W; 50mA; 4M x 4 bits x 4 banques synchrone CMOS SDRAM | Samsung Electronic |
| 611000 | KM44S16030BT-G_FH | 100MHz; -1,0 À 4.6V; 1W; 50mA; 4M x 4 bits x 4 banques synchrone CMOS SDRAM | Samsung Electronic |
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