| Nr. | Nom de partie | Description | Fabricant |
| 610881 | KM432S2030CT-G10 | 2M x 32 SDRAM 512K x 32bit X DRACHME synchrone LVTTL de 4 banques | Samsung Electronic |
| 610882 | KM432S2030CT-G6 | 2M x 32 SDRAM 512K x 32bit X DRACHME synchrone LVTTL de 4 banques | Samsung Electronic |
| 610883 | KM432S2030CT-G7 | 2M x 32 SDRAM 512K x 32bit X DRACHME synchrone LVTTL de 4 banques | Samsung Electronic |
| 610884 | KM432S2030CT-G8 | 2M x 32 SDRAM 512K x 32bit X DRACHME synchrone LVTTL de 4 banques | Samsung Electronic |
| 610885 | KM4470 | À prix réduit, +2.7V Et +5V, Amplificateurs Du Rail-à-Rail I/o | Fairchild Semiconductor |
| 610886 | KM4470IP14TR3 | À prix réduit/+2.7V Et +5V/Amplificateurs Du Rail-à-Rail I/o | Fairchild Semiconductor |
| 610887 | KM44C1000D | RAM dynamique du 1M X 4Bit CMOS avec le mode rapide de page | Samsung Electronic |
| 610888 | KM44C1000DJ-5 | RAM dynamique 1M x 4 bits CMOS avec mode page rapide, 5V, 50ns | Samsung Electronic |
| 610889 | KM44C1000DJ-6 | RAM dynamique 1M x 4 bits CMOS avec mode page rapide, 5V, 60ns | Samsung Electronic |
| 610890 | KM44C1000DJ-7 | RAM dynamique 1M x 4 bits CMOS avec mode page rapide, 5V, 70ns | Samsung Electronic |
| 610891 | KM44C1000DJL-5 | RAM dynamique 1M x 4 bits CMOS avec mode page rapide, 5V, 50ns | Samsung Electronic |
| 610892 | KM44C1000DJL-6 | RAM dynamique 1M x 4 bits CMOS avec mode page rapide, 5V, 60ns | Samsung Electronic |
| 610893 | KM44C1000DJL-7 | RAM dynamique 1M x 4 bits CMOS avec mode page rapide, 5V, 70ns | Samsung Electronic |
| 610894 | KM44C1000DT-5 | RAM dynamique 1M x 4 bits CMOS avec mode page rapide, 5V, 50ns | Samsung Electronic |
| 610895 | KM44C1000DT-6 | RAM dynamique 1M x 4 bits CMOS avec mode page rapide, 5V, 60ns | Samsung Electronic |
| 610896 | KM44C1000DT-7 | RAM dynamique 1M x 4 bits CMOS avec mode page rapide, 5V, 70ns | Samsung Electronic |
| 610897 | KM44C1000DTL-5 | RAM dynamique 1M x 4 bits CMOS avec mode page rapide, 5V, 50ns | Samsung Electronic |
| 610898 | KM44C1000DTL-6 | RAM dynamique 1M x 4 bits CMOS avec mode page rapide, 5V, 60ns | Samsung Electronic |
| 610899 | KM44C1000DTL-7 | RAM dynamique 1M x 4 bits CMOS avec mode page rapide, 5V, 70ns | Samsung Electronic |
| 610900 | KM44C256B-10 | 100 ns; V (cc / in / out): -1,0 à 7,0 V; 600 MW; 50mA; 256K x 4-bit CMOS RAM dynamique avec mode rapide de la page | Samsung Electronic |
| 610901 | KM44C256B-7 | 70ns; V (cc / in / out): -1,0 à 7,0 V; 600 MW; 50mA; 256K x 4-bit CMOS RAM dynamique avec mode rapide de la page | Samsung Electronic |
| 610902 | KM44C256B-8 | 80 ns; V (cc / in / out): -1,0 à 7,0 V; 600 MW; 50mA; 256K x 4-bit CMOS RAM dynamique avec mode rapide de la page | Samsung Electronic |
| 610903 | KM44C256C-6 | 60ns; V (cc / in / out): -1,0 à 7,0 V; 385mW; 50mA; 256K x 4-bit CMOS RAM dynamique avec mode rapide de la page | Samsung Electronic |
| 610904 | KM44C256C-7 | 70ns; V (cc / in / out): -1,0 à 7,0 V; 385mW; 50mA; 256K x 4-bit CMOS RAM dynamique avec mode rapide de la page | Samsung Electronic |
| 610905 | KM44C256C-8 | 80 ns; V (cc / in / out): -1,0 à 7,0 V; 385mW; 50mA; 256K x 4-bit CMOS RAM dynamique avec mode rapide de la page | Samsung Electronic |
| 610906 | KM44C256CL-6 | 60ns; V (cc / in / out): -1,0 à 7,0 V; 385mW; 50mA; 256K x 4-bit CMOS RAM dynamique avec mode rapide de la page | Samsung Electronic |
| 610907 | KM44C256CL-7 | 70ns; V (cc / in / out): -1,0 à 7,0 V; 385mW; 50mA; 256K x 4-bit CMOS RAM dynamique avec mode rapide de la page | Samsung Electronic |
| 610908 | KM44C256CL-8 | 80 ns; V (cc / in / out): -1,0 à 7,0 V; 385mW; 50mA; 256K x 4-bit CMOS RAM dynamique avec mode rapide de la page | Samsung Electronic |
| 610909 | KM44C256CSL-6 | 60ns; V (cc / in / out): -1,0 à 7,0 V; 385mW; 50mA; 256K x 4-bit CMOS RAM dynamique avec mode rapide de la page | Samsung Electronic |
| 610910 | KM44C256CSL-7 | 70ns; V (cc / in / out): -1,0 à 7,0 V; 385mW; 50mA; 256K x 4-bit CMOS RAM dynamique avec mode rapide de la page | Samsung Electronic |
| 610911 | KM44C256CSL-8 | 80 ns; V (cc / in / out): -1,0 à 7,0 V; 385mW; 50mA; 256K x 4-bit CMOS RAM dynamique avec mode rapide de la page | Samsung Electronic |
| 610912 | KM44C256D-6 | 60ns; V (cc / in / out): -1,0 à 7,0 V; 385mW; 50mA; 256K x 4-bit CMOS RAM dynamique avec mode rapide de la page | Samsung Electronic |
| 610913 | KM44C256D-7 | 60ns; V (cc / in / out): -1,0 à 7,0 V; 358mW; 50mA; 256K x 4-bit CMOS RAM dynamique avec mode rapide de la page | Samsung Electronic |
| 610914 | KM44C256D-8 | 60ns; V (cc / in / out): -1,0 à 7,0 V; 330MW; 50mA; 256K x 4-bit CMOS RAM dynamique avec mode rapide de la page | Samsung Electronic |
| 610915 | KM44C4000C | RAM dynamique de 4M x 4Bit CMOS avec le mode rapide de page | Samsung Electronic |
| 610916 | KM44C4000CK-5 | 4m x RAM dynamique 4BIT CMOS avec mode page rapide, 5V, 50ns | Samsung Electronic |
| 610917 | KM44C4000CK-6 | 4m x RAM dynamique 4BIT CMOS avec mode page rapide, 5V, 60ns | Samsung Electronic |
| 610918 | KM44C4000CKL-5 | 4m x RAM dynamique 4BIT CMOS avec mode page rapide, 5V, 50ns | Samsung Electronic |
| 610919 | KM44C4000CKL-6 | 4m x RAM dynamique 4BIT CMOS avec mode page rapide, 5V, 60ns | Samsung Electronic |
| 610920 | KM44C4000CS-5 | 4m x RAM dynamique 4BIT CMOS avec mode page rapide, 5V, 50ns | Samsung Electronic |
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