| Nr. | Teilname | Beschreibung | Hersteller |
| 47161 | 2N5192 | 40.000W Medium Power NPN Plastic Leaded Transistor. 80V Vceo, 4.000A Ic, 7 hFE. | Continental Device India Limited |
| 47162 | 2N5193 | Verbleiter Energie Transistor-Universeller Zweck | Central Semiconductor |
| 47163 | 2N5194 | Verbleiter Energie Transistor-Universeller Zweck | Central Semiconductor |
| 47164 | 2N5194 | Energie 4A 60V PNP | ON Semiconductor |
| 47165 | 2N5194-D | Energie Transistoren Des Silikon-PNP | ON Semiconductor |
| 47166 | 2N5195 | PNP SILIKON-TRANSISTOR | ST Microelectronics |
| 47167 | 2N5195 | MITTLERER ENERGIE PNP SILIKON-TRANSISTOR | SGS Thomson Microelectronics |
| 47168 | 2N5195 | Verbleiter Energie Transistor-Universeller Zweck | Central Semiconductor |
| 47169 | 2N5195 | Energie 4A 80V PNP | ON Semiconductor |
| 47170 | 2N5196 | Monolithischer Universeller Zweck | Vishay |
| 47171 | 2N5196 | Dual-N-Kanal-JFET Allzweckverstärker. | Intersil |
| 47172 | 2N5197 | Monolithischer Universeller Zweck | Vishay |
| 47173 | 2N5197 | Dual-N-Kanal-JFET Allzweckverstärker. | Intersil |
| 47174 | 2N5198 | Monolithischer Universeller Zweck | Vishay |
| 47175 | 2N5198 | Dual-N-Kanal-JFET Allzweckverstärker. | Intersil |
| 47176 | 2N5199 | Monolithischer Universeller Zweck | Vishay |
| 47177 | 2N5199 | Dual-N-Kanal-JFET Allzweckverstärker. | Intersil |
| 47178 | 2N5202 | EPITAXIAL- PLANARE SCHNELLTRANSISTOREN DES KOLLEKTOR-SILIKON-NPN | General Electric Solid State |
| 47179 | 2N5202 | EPITAXIAL- PLANARE SCHNELLTRANSISTOREN DES KOLLEKTOR-SILIKON-NPN | General Electric Solid State |
| 47180 | 2N5204 | 600V 22A Phase Steuer-Störungsbesuch in einem TO-208AA (TO-48) Paket | International Rectifier |
| 47181 | 2N5204 | 25 und 35 Ampere Effektivwert SCRs | Knox Semiconductor Inc |
| 47182 | 2N5205 | 800V 22A Phase Steuer-Störungsbesuch in einem TO-208AA (TO-48) Paket | International Rectifier |
| 47183 | 2N5205 | 25 und 35 Ampere Effektivwert SCRs | Knox Semiconductor Inc |
| 47184 | 2N5206 | 1000V 22A Phase Steuer-Störungsbesuch in einem TO-208AA (TO-48) Paket | International Rectifier |
| 47185 | 2N5206 | 25 und 35 Ampere Effektivwert SCRs | Knox Semiconductor Inc |
| 47186 | 2N5207 | 1200V 22A Phase Steuer-Störungsbesuch in einem TO-208AA (TO-48) Paket | International Rectifier |
| 47187 | 2N5207 | 25 und 35 Ampere Effektivwert SCRs | Knox Semiconductor Inc |
| 47188 | 2N5208 | FALL 29-04, style 2 ZU-92(TO-226AA) | Motorola |
| 47189 | 2N5209 | NPN SILIKONAF NIEDRIGE GERÄUSCH-KLEINE SIGNAL-TRANSISTOREN | Micro Electronics |
| 47190 | 2N5209 | Verbleiter Kleiner Signal-Transistor-Universeller Zweck | Central Semiconductor |
| 47191 | 2N5209 | Verstärker Transistors(NPN Silikon) | ON Semiconductor |
| 47192 | 2N5209-D | Silikon Der Verstärker-Transistor-NPN | ON Semiconductor |
| 47193 | 2N5209RLRE | Verstärker-Transistor NPN | ON Semiconductor |
| 47194 | 2N5210 | NPN Zweck-Verstärker | Fairchild Semiconductor |
| 47195 | 2N5210 | NPN SILIKONAF NIEDRIGE GERÄUSCH-KLEINE SIGNAL-TRANSISTOREN | Micro Electronics |
| 47196 | 2N5210 | Verbleiter Kleiner Signal-Transistor-Universeller Zweck | Central Semiconductor |
| 47197 | 2N5210 | Verstärker Transistors(NPN Silikon) | ON Semiconductor |
| 47198 | 2N5210 | NPN EPITAXIAL- SILIKON-TRANSISTOR | Samsung Electronic |
| 47199 | 2N5210 | Verstärkertransistoren. Kollektor-Emitter-Spannung: 50V = Vceo. Kollektor-Basis-Spannung: 50V = VCBO. Collector Ableitung: Pc (max) = 625mW. | USHA India LTD |
| 47200 | 2N5210BU | NPN Zweck-Verstärker | Fairchild Semiconductor |
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