| Nr. | Teilname | Beschreibung | Hersteller |
| 49081 | 2N657A | Verbleiter Kleiner Signal-Transistor-Universeller Zweck | Central Semiconductor |
| 49082 | 2N6581 | Zweipolige NPN Vorrichtung in einem hermetisch Siegel-paket des Metallto3 | SemeLAB |
| 49083 | 2N6583 | Zweipolige NPN Vorrichtung in einem hermetisch Siegel-paket des Metallto3 | SemeLAB |
| 49084 | 2N6594 | ENERGIE TRANSISTORS(12A, 40v, 100w) | MOSPEC Semiconductor |
| 49085 | 2N6594 | PNP SILIKON-ENERGIE TRANSISTOR | Boca Semiconductor Corporation |
| 49086 | 2N6594 | Verbleiter Energie Transistor-Universeller Zweck | Central Semiconductor |
| 49087 | 2N660 | SCRs | Central Semiconductor |
| 49088 | 2N660 | SCRs | Central Semiconductor |
| 49089 | 2N6605 | Verbleiter Thyristor Störungsbesuch | Central Semiconductor |
| 49090 | 2N6606 | Verbleiter Thyristor Störungsbesuch | Central Semiconductor |
| 49091 | 2N6607 | Verbleiter Thyristor Störungsbesuch | Central Semiconductor |
| 49092 | 2N6608 | Verbleiter Thyristor Störungsbesuch | Central Semiconductor |
| 49093 | 2N6609 | ENERGIE TRANSISTORS(16A, 140v, 150w) | MOSPEC Semiconductor |
| 49094 | 2N6609 | ERGÄNZENDE SILIKON-ENERGIE TRANSISTOREN | Boca Semiconductor Corporation |
| 49095 | 2N6609 | Verbleiter Energie Transistor-Universeller Zweck | Central Semiconductor |
| 49096 | 2N6609 | Energie 16A 140V Getrenntes PNP | ON Semiconductor |
| 49097 | 2N6609 | Silikon PNP epitaktischen-Basishochleistungstransistor. -160V, 150W. | General Electric Solid State |
| 49098 | 2N6619 | 12 V, 30 mA, NPN Silizium-Transistor für geräuscharmen HF-Breitband-Verstärker und Hochgeschwindigkeits-Schalt Anwendung | Siemens |
| 49099 | 2N6620 | NPN SILIKON-TRANSISTOR FÜR NIEDRIGE GERÄUSCH-RF BREITBANDVERSTÄRKER | Siemens |
| 49100 | 2N6620 | NPN SILIKON-TRANSISTOR FÜR NIEDRIGE GERÄUSCH-RF BREITBANDVERSTÄRKER | Siemens |
| 49101 | 2N6621 | 25 V, 25 mA, Breitband-HF-NPN Silizium-Transistor | Siemens |
| 49102 | 2N6648 | PNP Darlington Transistor | Microsemi |
| 49103 | 2N6648 | ENERGIE TRANSISTORS(10A, 100w) | MOSPEC Semiconductor |
| 49104 | 2N6648 | Verbleiter Energie Transistor Darlington | Central Semiconductor |
| 49105 | 2N6648 | 10 A PNP Darlington-Leistungstransistor. -40 V. 70 W. Gewinn von 1000 bei 5 A. | General Electric Solid State |
| 49106 | 2N6649 | PNP Darlington Transistor | Microsemi |
| 49107 | 2N6649 | ENERGIE TRANSISTORS(10A, 100w) | MOSPEC Semiconductor |
| 49108 | 2N6649 | Verbleiter Energie Transistor Darlington | Central Semiconductor |
| 49109 | 2N6649 | 10 A PNP Darlington-Leistungstransistor. -60 V. 70 W. Gewinn von 1000 bei 5 A. | General Electric Solid State |
| 49110 | 2N6650 | PNP Darlington Transistor | Microsemi |
| 49111 | 2N6650 | ENERGIE TRANSISTORS(10A, 100w) | MOSPEC Semiconductor |
| 49112 | 2N6650 | Verbleiter Energie Transistor Darlington | Central Semiconductor |
| 49113 | 2N6650 | 10 A PNP Darlington-Leistungstransistor. -80 V. 70 W. Gewinn von 1000 bei 5 A. | General Electric Solid State |
| 49114 | 2N6653 | Zweipolige NPN Vorrichtung in einem hermetisch Siegel-paket des Metallto3. | SemeLAB |
| 49115 | 2N6654 | Zweipolige NPN Vorrichtung in einem hermetisch Siegel-paket des Metallto3 | SemeLAB |
| 49116 | 2N6655 | Zweipolige NPN Vorrichtung | SemeLAB |
| 49117 | 2N6659 | N-CHANNEL VERBESSERUNG MODUS-MOS TRANSISTOR | SemeLAB |
| 49118 | 2N6659 | TMOS SCHALTUNG FET TRANSISTOREN | Motorola |
| 49119 | 2N6660 | TMOS SCHALTUNG FET TRANSISTOREN | Motorola |
| 49120 | 2N6660 | N-Führung Verbesserung-Modus Vertikale DMOS FETs | Supertex Inc |
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