Nr. | Teilname | Beschreibung | Hersteller |
567481 | IRF1405PBF | 55V Single N-Führung HEXFET Energie MOSFET in einem TO-220AB Paket | International Rectifier |
567482 | IRF1405S | 55V Single N-Führung HEXFET Energie MOSFET in einem D2-Pak Paket | International Rectifier |
567483 | IRF1405STRL | 55V Single N-Führung HEXFET Energie MOSFET in einem D2-Pak Paket | International Rectifier |
567484 | IRF1405STRR | 55V Single N-Führung HEXFET Energie MOSFET in einem D2-Pak Paket | International Rectifier |
567485 | IRF1405Z | 55V Single N-Führung HEXFET Energie MOSFET in einem TO-220AB Paket | International Rectifier |
567486 | IRF1405ZL | 55V Single N-Führung HEXFET Energie MOSFET in einem Paket TO-262 | International Rectifier |
567487 | IRF1405ZS | 55V Single N-Führung HEXFET Energie MOSFET in einem D2-Pak Paket | International Rectifier |
567488 | IRF1407 | 75V Single N-Führung HEXFET Energie MOSFET in einem TO-220AB Paket | International Rectifier |
567489 | IRF1407L | 75V Single N-Führung HEXFET Energie MOSFET in einem Paket TO-262 | International Rectifier |
567490 | IRF1407S | 75V Single N-Führung HEXFET Energie MOSFET in einem D2-Pak Paket | International Rectifier |
567491 | IRF140SMD | N-CHANNEL ENERGIE MOSFET | SemeLAB |
567492 | IRF141 | N-CHANNEL ENERGIE MOSFETS | Samsung Electronic |
567493 | IRF141 | N-Kanal-Leistungs-MOSFET, 27 A, 60 V. | Fairchild Semiconductor |
567494 | IRF141 | 28A und 25A, 80V und 100V, 0,077 und 0,100 Ohm, N-Kanal-Leistungs-MOSFETs | Intersil |
567495 | IRF142 | N-Führung Energie MOSFETs/ 27 A 60-100V | Fairchild Semiconductor |
567496 | IRF142 | N-CHANNEL ENERGIE MOSFETS | Samsung Electronic |
567497 | IRF142 | 28A und 25A, 80V und 100V, 0,077 und 0,100 Ohm, N-Kanal-Leistungs-MOSFETs | Intersil |
567498 | IRF143 | N-Führung Energie MOSFETs/ 27 A 60-100V | Fairchild Semiconductor |
567499 | IRF143 | N-CHANNEL ENERGIE MOSFETS | Samsung Electronic |
567500 | IRF143 | 28A und 25A, 80V und 100V, 0,077 und 0,100 Ohm, N-Kanal-Leistungs-MOSFETs | Intersil |
567501 | IRF150 | 100V Single N-Führung Hallo-Rel MOSFET in einem TO-204AE Paket | International Rectifier |
567502 | IRF150 | N-CHANNEL ENERGIE MOSFET | SemeLAB |
567503 | IRF150 | N-Führung Energie MOSFETs/ 40 A 60 V/100 V | Fairchild Semiconductor |
567504 | IRF150 | 40A/ 100V/ 0.055 Ohm N-Führung Energie Mosfet | Intersil |
567505 | IRF150 | N-CHANNEL ENERGIE MOSFETS | Samsung Electronic |
567506 | IRF150 | N-Kanal-Anreicherungs-Leistungs-Feldeffekttransistor ist. Drain-Spannung sourge 100V. Drain-Gleichstrom (bei Tc 25deg) 40A. | General Electric Solid State |
567507 | IRF150-153 | N-Führung Energie MOSFETs/ 40 A 60 V/100 V | Fairchild Semiconductor |
567508 | IRF1503 | 30V Single N-Führung HEXFET Energie MOSFET in einem TO-220AB Paket | International Rectifier |
567509 | IRF1503L | 30V Single N-Führung HEXFET Energie MOSFET in einem Paket TO-262 | International Rectifier |
567510 | IRF1503S | 30V Single N-Führung HEXFET Energie MOSFET in einem D2-Pak Paket | International Rectifier |
567511 | IRF150SMD | N-CHANNEL ENERGIE MOSFET | SemeLAB |
567512 | IRF151 | N-Führung Energie MOSFETs/ 40 A 60 V/100 V | Fairchild Semiconductor |
567513 | IRF151 | N-CHANNEL ENERGIE MOSFETS | Samsung Electronic |
567514 | IRF151 | N-Kanal-Anreicherungs-Leistungs-Feldeffekttransistor ist. Drain-Spannung sourge 60V. Drain-Gleichstrom (bei Tc 25deg) 40A. | General Electric Solid State |
567515 | IRF151 | 33A und 40A, 60V und 100V, 0,055 und 0,08 Ohm, N-Kanal-Leistungs-MOSFETs | Intersil |
567516 | IRF152 | N-Führung Energie MOSFETs/ 40 A 60 V/100 V | Fairchild Semiconductor |
567517 | IRF152 | N-CHANNEL ENERGIE MOSFETS | Samsung Electronic |
567518 | IRF152 | N-Kanal-Anreicherungs-Leistungs-Feldeffekttransistor ist. Drain-Spannung sourge 100V. Drain-Gleichstrom (bei Tc 25deg) 33A. | General Electric Solid State |
567519 | IRF152 | 33A und 40A, 60V und 100V, 0,055 und 0,08 Ohm, N-Kanal-Leistungs-MOSFETs | Intersil |
567520 | IRF153 | N-Führung Energie MOSFETs/ 40 A 60 V/100 V | Fairchild Semiconductor |
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