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Nr.TeilnameBeschreibungHersteller
567481IRF1405PBF55V Single N-Führung HEXFET Energie MOSFET in einem TO-220AB PaketInternational Rectifier
567482IRF1405S55V Single N-Führung HEXFET Energie MOSFET in einem D2-Pak PaketInternational Rectifier
567483IRF1405STRL55V Single N-Führung HEXFET Energie MOSFET in einem D2-Pak PaketInternational Rectifier
567484IRF1405STRR55V Single N-Führung HEXFET Energie MOSFET in einem D2-Pak PaketInternational Rectifier
567485IRF1405Z55V Single N-Führung HEXFET Energie MOSFET in einem TO-220AB PaketInternational Rectifier
567486IRF1405ZL55V Single N-Führung HEXFET Energie MOSFET in einem Paket TO-262International Rectifier
567487IRF1405ZS55V Single N-Führung HEXFET Energie MOSFET in einem D2-Pak PaketInternational Rectifier
567488IRF140775V Single N-Führung HEXFET Energie MOSFET in einem TO-220AB PaketInternational Rectifier
567489IRF1407L75V Single N-Führung HEXFET Energie MOSFET in einem Paket TO-262International Rectifier
567490IRF1407S75V Single N-Führung HEXFET Energie MOSFET in einem D2-Pak PaketInternational Rectifier
567491IRF140SMDN-CHANNEL ENERGIE MOSFETSemeLAB
567492IRF141N-CHANNEL ENERGIE MOSFETSSamsung Electronic
567493IRF141N-Kanal-Leistungs-MOSFET, 27 A, 60 V.Fairchild Semiconductor
567494IRF14128A und 25A, 80V und 100V, 0,077 und 0,100 Ohm, N-Kanal-Leistungs-MOSFETsIntersil
567495IRF142N-Führung Energie MOSFETs/ 27 A 60-100VFairchild Semiconductor
567496IRF142N-CHANNEL ENERGIE MOSFETSSamsung Electronic
567497IRF14228A und 25A, 80V und 100V, 0,077 und 0,100 Ohm, N-Kanal-Leistungs-MOSFETsIntersil
567498IRF143N-Führung Energie MOSFETs/ 27 A 60-100VFairchild Semiconductor
567499IRF143N-CHANNEL ENERGIE MOSFETSSamsung Electronic



567500IRF14328A und 25A, 80V und 100V, 0,077 und 0,100 Ohm, N-Kanal-Leistungs-MOSFETsIntersil
567501IRF150100V Single N-Führung Hallo-Rel MOSFET in einem TO-204AE PaketInternational Rectifier
567502IRF150N-CHANNEL ENERGIE MOSFETSemeLAB
567503IRF150N-Führung Energie MOSFETs/ 40 A 60 V/100 VFairchild Semiconductor
567504IRF15040A/ 100V/ 0.055 Ohm N-Führung Energie MosfetIntersil
567505IRF150N-CHANNEL ENERGIE MOSFETSSamsung Electronic
567506IRF150N-Kanal-Anreicherungs-Leistungs-Feldeffekttransistor ist. Drain-Spannung sourge 100V. Drain-Gleichstrom (bei Tc 25deg) 40A.General Electric Solid State
567507IRF150-153N-Führung Energie MOSFETs/ 40 A 60 V/100 VFairchild Semiconductor
567508IRF150330V Single N-Führung HEXFET Energie MOSFET in einem TO-220AB PaketInternational Rectifier
567509IRF1503L30V Single N-Führung HEXFET Energie MOSFET in einem Paket TO-262International Rectifier
567510IRF1503S30V Single N-Führung HEXFET Energie MOSFET in einem D2-Pak PaketInternational Rectifier
567511IRF150SMDN-CHANNEL ENERGIE MOSFETSemeLAB
567512IRF151N-Führung Energie MOSFETs/ 40 A 60 V/100 VFairchild Semiconductor
567513IRF151N-CHANNEL ENERGIE MOSFETSSamsung Electronic
567514IRF151N-Kanal-Anreicherungs-Leistungs-Feldeffekttransistor ist. Drain-Spannung sourge 60V. Drain-Gleichstrom (bei Tc 25deg) 40A.General Electric Solid State
567515IRF15133A und 40A, 60V und 100V, 0,055 und 0,08 Ohm, N-Kanal-Leistungs-MOSFETsIntersil
567516IRF152N-Führung Energie MOSFETs/ 40 A 60 V/100 VFairchild Semiconductor
567517IRF152N-CHANNEL ENERGIE MOSFETSSamsung Electronic
567518IRF152N-Kanal-Anreicherungs-Leistungs-Feldeffekttransistor ist. Drain-Spannung sourge 100V. Drain-Gleichstrom (bei Tc 25deg) 33A.General Electric Solid State
567519IRF15233A und 40A, 60V und 100V, 0,055 und 0,08 Ohm, N-Kanal-Leistungs-MOSFETsIntersil
567520IRF153N-Führung Energie MOSFETs/ 40 A 60 V/100 VFairchild Semiconductor
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