| Nr. | Teilname | Beschreibung | Hersteller |
| 598921 | K4E661612B | 4M x 16bit CMOS dynamisches RAM mit ausgedehnten Daten heraus | Samsung Electronic |
| 598922 | K4E661612B-L | 4M x 16bit CMOS dynamisches RAM mit ausgedehnten Daten heraus | Samsung Electronic |
| 598923 | K4E661612B-TC | 4M x 16bit CMOS dynamisches RAM mit ausgedehnten Daten heraus | Samsung Electronic |
| 598924 | K4E661612B-TC45 | 4M x 16bit CMOS dynamischen RAM mit erweiterten Daten aus, 3,3V Stromversorgung, 45ns | Samsung Electronic |
| 598925 | K4E661612B-TC50 | 4M x 16bit CMOS dynamischen RAM mit erweiterten Daten aus, 3,3V Stromversorgung, 50ns | Samsung Electronic |
| 598926 | K4E661612B-TC60 | 4M x 16bit CMOS dynamischen RAM mit erweiterten Daten aus, 3,3V Stromversorgung, 60ns | Samsung Electronic |
| 598927 | K4E661612B-TL45 | 4M x 16bit CMOS dynamischen RAM mit erweiterten Daten aus, 3,3V Stromversorgung, 45ns, geringer Strom | Samsung Electronic |
| 598928 | K4E661612B-TL50 | 4M x 16bit CMOS dynamischen RAM mit erweiterten Daten aus, 3,3V Stromversorgung, 50ns, geringer Strom | Samsung Electronic |
| 598929 | K4E661612B-TL60 | 4M x 16bit CMOS dynamischen RAM mit erweiterten Daten aus, 3,3V Stromversorgung, 60ns, geringer Strom | Samsung Electronic |
| 598930 | K4E661612C | 4M x 16bit CMOS dynamisches RAM mit ausgedehnten Daten heraus | Samsung Electronic |
| 598931 | K4E661612C-45 | 4M x 16bit CMOS dynamisches RAM mit ausgedehnten Daten heraus | Samsung Electronic |
| 598932 | K4E661612C-50 | 4M x 16bit CMOS dynamisches RAM mit ausgedehnten Daten heraus | Samsung Electronic |
| 598933 | K4E661612C-60 | 4M x 16bit CMOS dynamisches RAM mit ausgedehnten Daten heraus | Samsung Electronic |
| 598934 | K4E661612C-L | 4M x 16bit CMOS dynamisches RAM mit ausgedehnten Daten heraus | Samsung Electronic |
| 598935 | K4E661612C-L45 | 4M x 16bit CMOS dynamisches RAM mit ausgedehnten Daten heraus | Samsung Electronic |
| 598936 | K4E661612C-L50 | 4M x 16bit CMOS dynamisches RAM mit ausgedehnten Daten heraus | Samsung Electronic |
| 598937 | K4E661612C-L60 | 4M x 16bit CMOS dynamisches RAM mit ausgedehnten Daten heraus | Samsung Electronic |
| 598938 | K4E661612C-T | 4M x 16bit CMOS dynamisches RAM mit ausgedehnten Daten heraus | Samsung Electronic |
| 598939 | K4E661612C-T45 | 4M x 16bit CMOS dynamisches RAM mit ausgedehnten Daten heraus | Samsung Electronic |
| 598940 | K4E661612C-T50 | 4M x 16bit CMOS dynamisches RAM mit ausgedehnten Daten heraus | Samsung Electronic |
| 598941 | K4E661612C-T60 | 4M x 16bit CMOS dynamisches RAM mit ausgedehnten Daten heraus | Samsung Electronic |
| 598942 | K4E661612C-TC | 4M x 16bit CMOS dynamisches RAM mit ausgedehnten Daten heraus | Samsung Electronic |
| 598943 | K4E661612C-TC45 | 4M x 16bit CMOS dynamisches RAM mit ausgedehnten Daten heraus | Samsung Electronic |
| 598944 | K4E661612C-TC50 | 4M x 16bit CMOS dynamisches RAM mit ausgedehnten Daten heraus | Samsung Electronic |
| 598945 | K4E661612C-TC60 | 4M x 16bit CMOS dynamisches RAM mit ausgedehnten Daten heraus | Samsung Electronic |
| 598946 | K4E661612C-TL45 | 4M x 16bit CMOS dynamisches RAM mit ausgedehnten Daten heraus | Samsung Electronic |
| 598947 | K4E661612C-TL50 | 4M x 16bit CMOS dynamisches RAM mit ausgedehnten Daten heraus | Samsung Electronic |
| 598948 | K4E661612C-TL60 | 4M x 16bit CMOS dynamisches RAM mit ausgedehnten Daten heraus | Samsung Electronic |
| 598949 | K4E661612D | CMOS DRAM | Samsung Electronic |
| 598950 | K4E661612D, K4E641612D | 4M x 16bit CMOS dynamisches RAM mit ausgedehnten Daten aus Leistungsblatt | Samsung Electronic |
| 598951 | K4E661612D, K4E641612D | 4M x 16bit CMOS dynamisches RAM mit ausgedehnten Daten aus Leistungsblatt | Samsung Electronic |
| 598952 | K4E661612E, K4E641612E | 4M x 16bit CMOS dynamisches RAM mit ausgedehnten Daten aus Leistungsblatt | Samsung Electronic |
| 598953 | K4E661612E, K4E641612E | 4M x 16bit CMOS dynamisches RAM mit ausgedehnten Daten aus Leistungsblatt | Samsung Electronic |
| 598954 | K4EB-110V-1 | K-Relais. Einzigartig gestaltet Relais. 4 Form C Spulenspannung 110 V DC. Plug-in und löten. Ordinary empfindlichen Relais. Bernstein versiegelt Art. | Matsushita Electric Works(Nais) |
| 598955 | K4EBP-110V-1 | K-Relais. Einzigartig gestaltet Relais. 4 Form C Spulenspannung 110 V DC. PC Plattenklemme. Ordinary empfindlichen Relais. Bernstein versiegelt Art. | Matsushita Electric Works(Nais) |
| 598956 | K4F151611 | 1M x 16Bit CMOS dynamisches RAM mit schnellem Seite Modus | Samsung Electronic |
| 598957 | K4F151611D | 1M x 16Bit CMOS dynamisches RAM mit schnellem Seite Modus | Samsung Electronic |
| 598958 | K4F151611D-J | 1m x 16-Bit CMOS dynamischen RAM mit schnellen Seitenmodus. Versorgungsspannung 5V, 1K-Aktualisierungszyklus. | Samsung Electronic |
| 598959 | K4F151611D-T | 1m x 16-Bit CMOS dynamischen RAM mit schnellen Seitenmodus. Versorgungsspannung 5V, 1K-Aktualisierungszyklus. | Samsung Electronic |
| 598960 | K4F151612D | 1M x 16Bit CMOS dynamisches RAM mit schnellem Seite Modus | Samsung Electronic |
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