|   Primeira página   |   Todos os fabricantes   |   Pela Função   |  

Parte número, a descrição fabricante ou conter:    
Salto rápido a:   1N  2N  2SA  2SC  74  AD  BA  BC  BD  BF  BU  CXA  HCF  IRF  KA  KIA  LA  LM  MC  NE  ST  STK  TDA  TL  UA  



As folhas de dados encontraram :: 10329 English Version for this page Version française pour cette page Deutsche Version für diese Seite Versione italiana per questa pagina Versión española para esta página Russian Version Romanian Version
Nr.Nome da parteDescriçãoFabricante
6801KM681002CLT-10128K x 8 RAM estática de alta velocidade, operando 5V, 10ns, baixo consumo de energiaSamsung Electronic
6802KM681002CLT-12128K x 8 RAM estática de alta velocidade, operando 5V, 12ns, baixo consumo de energiaSamsung Electronic
6803KM681002CLT-15128K x 8 RAM estática de alta velocidade, operando 5V, 15ns, baixo consumo de energiaSamsung Electronic
6804KM681002CLT-20128K x 8 RAM estática de alta velocidade, operando 5V, 20ns, baixo consumo de energiaSamsung Electronic
6805KM681002CLTI-10128K x 8 RAM estática de alta velocidade, operando 5V, 10ns, baixo consumo de energiaSamsung Electronic
6806KM681002CLTI-12128K x 8 RAM estática de alta velocidade, operando 5V, 12ns, baixo consumo de energiaSamsung Electronic
6807KM681002CLTI-15128K x 8 RAM estática de alta velocidade, operando 5V, 15ns, baixo consumo de energiaSamsung Electronic
6808KM681002CLTI-20128K x 8 RAM estática de alta velocidade, operando 5V, 20ns, baixo consumo de energiaSamsung Electronic
6809KM681002CT-10128K x 8 RAM estática de alta velocidade, operando 5V, 10nsSamsung Electronic
6810KM681002CT-12128K x 8 RAM estática de alta velocidade, operando 5V, 12nsSamsung Electronic
6811KM681002CT-15128K x 8 RAM estática de alta velocidade, operando 5V, 15nsSamsung Electronic
6812KM681002CT-20128K x 8 RAM estática de alta velocidade, operando 5V, 20nsSamsung Electronic
6813KM681002CTI-10128K x 8 RAM estática de alta velocidade, operando 5V, 10nsSamsung Electronic
6814KM681002CTI-12128K x 8 RAM estática de alta velocidade, operando 5V, 12nsSamsung Electronic
6815KM681002CTI-15128K x 8 RAM estática de alta velocidade, operando 5V, 15nsSamsung Electronic
6816KM681002CTI-20128K x 8 RAM estática de alta velocidade, operando 5V, 20nsSamsung Electronic
6817KM68257Cestática de alta velocidade RAM(5V Operating(do bocado32Kx8, pino evolucionário para fora. Operado na escala de temperatura comercial.Samsung Electronic
6818KM68257CJ-1232Kx8 bit RAM estática de alta velocidade (5V operacional), 12nsSamsung Electronic
6819KM68257CJ-1532Kx8 bit RAM estática de alta velocidade (5V operacional), 15nsSamsung Electronic
6820KM68257CJ-2032Kx8 bit RAM estática de alta velocidade (5V operacional), 20nsSamsung Electronic
6821KM68257CLJ-1232Kx8 bit RAM estática de alta velocidade (5V operacional), 12nsSamsung Electronic
6822KM68257CLJ-1532Kx8 bit RAM estática de alta velocidade (5V operacional), 15nsSamsung Electronic
6823KM68257CLJ-2032Kx8 bit RAM estática de alta velocidade (5V operacional), 20nsSamsung Electronic
6824KM68257CLP-1232Kx8 bit RAM estática de alta velocidade (5V operacional), 12nsSamsung Electronic
6825KM68257CLP-1532Kx8 bit RAM estática de alta velocidade (5V operacional), 15nsSamsung Electronic
6826KM68257CLP-2032Kx8 bit RAM estática de alta velocidade (5V operacional), 20nsSamsung Electronic
6827KM68257CLTG-1232Kx8 bit RAM estática de alta velocidade (5V operacional), 12nsSamsung Electronic
6828KM68257CLTG-1532Kx8 bit RAM estática de alta velocidade (5V operacional), 15nsSamsung Electronic
6829KM68257CLTG-2032Kx8 bit RAM estática de alta velocidade (5V operacional), 20nsSamsung Electronic
6830KM68257CP-1232Kx8 bit RAM estática de alta velocidade (5V operacional), 12nsSamsung Electronic
6831KM68257CP-1532Kx8 bit RAM estática de alta velocidade (5V operacional), 15nsSamsung Electronic
6832KM68257CP-2032Kx8 bit RAM estática de alta velocidade (5V operacional), 20nsSamsung Electronic
6833KM68257CTG-1232Kx8 bit RAM estática de alta velocidade (5V operacional), 12nsSamsung Electronic
6834KM68257CTG-1532Kx8 bit RAM estática de alta velocidade (5V operacional), 15nsSamsung Electronic
6835KM68257CTG-2032Kx8 bit RAM estática de alta velocidade (5V operacional), 20nsSamsung Electronic
6836KM68257Eoperar-se de estática de alta velocidade do CMOS RAM(5V do bocado 32Kx8) operado em escalas de temperatura comerciais eindustriais.Samsung Electronic
6837KM68257E-10operar-se de estática de alta velocidade do CMOS RAM(5V do bocado 32Kx8) operado em escalas de temperatura comerciais eindustriais.Samsung Electronic
6838KM68257E-12operar-se de estática de alta velocidade do CMOS RAM(5V do bocado 32Kx8) operado em escalas de temperatura comerciais eindustriais.Samsung Electronic
6839KM68257E-15operar-se de estática de alta velocidade do CMOS RAM(5V do bocado 32Kx8) operado em escalas de temperatura comerciais eindustriais.Samsung Electronic
6840KM68257EI-1032Kx8 Bit de alta velocidade CMOS estática RAM (5V Operacional) Operado em Comerciais e Industriais faixas de temperatura.Samsung Electronic
6841KM68257EI-12operar-se de estática de alta velocidade do CMOS RAM(5V do bocado 32Kx8) operado em escalas de temperatura comerciais eindustriais.Samsung Electronic
6842KM68257EI-15operar-se de estática de alta velocidade do CMOS RAM(5V do bocado 32Kx8) operado em escalas de temperatura comerciais eindustriais.Samsung Electronic
6843KM68257EJ-1032Kx8 bit de alta velocidade RAM estática CMOS (operando 5V), 10nsSamsung Electronic
6844KM68257EJ-1232Kx8 bit de alta velocidade RAM estática CMOS (operando 5V), 12nsSamsung Electronic
6845KM68257EJ-1532Kx8 bit de alta velocidade RAM estática CMOS (operando 5V), 15nsSamsung Electronic
6846KM68257EJI-1032Kx8 bit de alta velocidade RAM estática CMOS (operando 5V), 10nsSamsung Electronic
6847KM68257EJI-1232Kx8 bit de alta velocidade RAM estática CMOS (operando 5V), 12nsSamsung Electronic
6848KM68257EJI-1532Kx8 bit de alta velocidade RAM estática CMOS (operando 5V), 15nsSamsung Electronic
6849KM68257ETG-1032Kx8 bit de alta velocidade RAM estática CMOS (operando 5V), 10nsSamsung Electronic
6850KM68257ETG-1232Kx8 bit de alta velocidade RAM estática CMOS (operando 5V), 12nsSamsung Electronic
6851KM68257ETG-1532Kx8 bit de alta velocidade RAM estática CMOS (operando 5V), 15nsSamsung Electronic
6852KM68257ETGI-1032Kx8 bit de alta velocidade RAM estática CMOS (operando 5V), 10nsSamsung Electronic
6853KM68257ETGI-1232Kx8 bit de alta velocidade RAM estática CMOS (operando 5V), 12nsSamsung Electronic
6854KM68257ETGI-1532Kx8 bit de alta velocidade RAM estática CMOS (operando 5V), 15nsSamsung Electronic
6855KM684000524288 WORD x RAM DE ALTA VELOCIDADE da ESTÁTICA do CMOS de 8 BOCADOSSamsung Electronic
6856KM684000ALG-5RAM baixa da estática do CMOS do poder do bocado 128Kx8Samsung Electronic



6857KM684000ALG-5L55ns, 512Kx8 bits baixas CMOS de baixa potência RAM estáticaSamsung Electronic
6858KM684000ALG-770ns, 512Kx8 bit CMOS de baixa potência RAM estáticaSamsung Electronic
6859KM684000ALG-7L70ns, 512Kx8 bits baixas CMOS de baixa potência RAM estáticaSamsung Electronic
6860KM684000ALGI-770ns, 512Kx8 bit CMOS de baixa potência RAM estáticaSamsung Electronic
6861KM684000ALGI-7LRAM baixa da estática do CMOS do poder do bocado 128Kx8Samsung Electronic
6862KM684000ALP-555ns, 512Kx8 bit CMOS de baixa potência RAM estáticaSamsung Electronic
6863KM684000ALP-5L55ns, 512Kx8 bits baixas CMOS de baixa potência RAM estáticaSamsung Electronic
6864KM684000ALP-7RAM baixa da estática do CMOS do poder do bocado 128Kx8Samsung Electronic
6865KM684000ALP-7L70ns, 512Kx8 bits baixas CMOS de baixa potência RAM estáticaSamsung Electronic
6866KM684000ALR-5L55ns, 512Kx8 bits baixas CMOS de baixa potência RAM estáticaSamsung Electronic
6867KM684000ALR-7L70ns, 512Kx8 bits baixas CMOS de baixa potência RAM estáticaSamsung Electronic
6868KM684000ALRI-7L70ns, 512Kx8 bits baixas CMOS de baixa potência RAM estáticaSamsung Electronic
6869KM684000ALT-5L55ns, 512Kx8 bits baixas CMOS de baixa potência RAM estáticaSamsung Electronic
6870KM684000ALT-7L70ns, 512Kx8 bits baixas CMOS de baixa potência RAM estáticaSamsung Electronic
6871KM684000ALTI-7L70ns, 512Kx8 bits baixas CMOS de baixa potência RAM estáticaSamsung Electronic
6872KM684000BRAM baixa da estática do CMOS do poder do bocado 512Kx8Samsung Electronic
6873KM684000BLRAM baixa da estática do CMOS do poder do bocado 512Kx8Samsung Electronic
6874KM684000BL-LRAM baixa da estática do CMOS do poder do bocado 512Kx8Samsung Electronic
6875KM684000BLG-5RAM baixa da estática do CMOS do poder do bocado 512Kx8Samsung Electronic
6876KM684000BLG-5LRAM baixa da estática do CMOS do poder do bocado 512Kx8Samsung Electronic
6877KM684000BLG-7RAM baixa da estática do CMOS do poder do bocado 512Kx8Samsung Electronic
6878KM684000BLG-7LRAM baixa da estática do CMOS do poder do bocado 512Kx8Samsung Electronic
6879KM684000BLGI-5RAM baixa da estática do CMOS do poder do bocado 512Kx8Samsung Electronic
6880KM684000BLGI-5LRAM baixa da estática do CMOS do poder do bocado 512Kx8Samsung Electronic
6881KM684000BLGI-7RAM baixa da estática do CMOS do poder do bocado 512Kx8Samsung Electronic
6882KM684000BLGI-7LRAM baixa da estática do CMOS do poder do bocado 512Kx8Samsung Electronic
6883KM684000BLIRAM baixa da estática do CMOS do poder do bocado 512Kx8Samsung Electronic
6884KM684000BLI-LRAM baixa da estática do CMOS do poder do bocado 512Kx8Samsung Electronic
6885KM684000BLP-5RAM baixa da estática do CMOS do poder do bocado 512Kx8Samsung Electronic
6886KM684000BLP-5LRAM baixa da estática do CMOS do poder do bocado 512Kx8Samsung Electronic
6887KM684000BLP-7RAM baixa da estática do CMOS do poder do bocado 512Kx8Samsung Electronic
6888KM684000BLP-7LRAM baixa da estática do CMOS do poder do bocado 512Kx8Samsung Electronic
6889KM684000BLR-5LRAM baixa da estática do CMOS do poder do bocado 512Kx8Samsung Electronic
6890KM684000BLR-7LRAM baixa da estática do CMOS do poder do bocado 512Kx8Samsung Electronic
6891KM684000BLRI-5LRAM baixa da estática do CMOS do poder do bocado 512Kx8Samsung Electronic
6892KM684000BLRI-7LRAM baixa da estática do CMOS do poder do bocado 512Kx8Samsung Electronic
6893KM684000BLT-5LRAM baixa da estática do CMOS do poder do bocado 512Kx8Samsung Electronic
6894KM684000BLT-7LRAM baixa da estática do CMOS do poder do bocado 512Kx8Samsung Electronic
6895KM684000BLTI-5LRAM baixa da estática do CMOS do poder do bocado 512Kx8Samsung Electronic
6896KM684000BLTI-7LRAM baixa da estática do CMOS do poder do bocado 512Kx8Samsung Electronic
6897KM684000CRAM baixa da estática do CMOS do poder do bocado 512Kx8Samsung Electronic
6898KM684000CLRAM baixa da estática do CMOS do poder do bocado 512Kx8Samsung Electronic
6899KM684000CL-LRAM baixa da estática do CMOS do poder do bocado 512Kx8Samsung Electronic
6900KM684000CLG-5RAM baixa da estática do CMOS do poder do bocado 512Kx8Samsung Electronic

Página: | 1 | 2 | 3 | 4 | 5 | 6 | 7 | 8 | 9 | 10 | 11 | 12 | 13 | 14 | 15 | 16 | 17 | 18 | 19 | 20 | 21 | 22 | 23 | 24 | 25 | 26 | 27 | 28 | 29 | 30 | 31 | 32 | 33 | 34 | 35 | 36 | 37 | 38 | 39 | 40 | 41 | 42 | 43 | 44 | 45 | 46 | 47 | 48 | 49 | 50 | 51 | 52 | 53 | 54 | 55 | 56 | 57 | 58 | 59 | 60 | 61 | 62 | 63 | 64 | 65 | 66 | 67 | 68 | 69 | 70 | 71 | 72 | 73 | 74 | 75 | 76 | 77 | 78 | 79 | 80 | 81 | 82 | 83 | 84 | 85 | 86 | 87 | 88 | 89 | 90 | 91 | 92 | 93 | 94 | 95 | 96 | 97 | 98 | 99 | 100 | 101 | 102 | 103 | 104 |


© 2023    www.datasheetcatalog.net/pt/samsungelectronic/1/