|   Главная страница   |   Все производители   |   В функции   |  

Часть название, описание или производитель содержать:

   
Быстрый переход к:   1N  2N  2SA  2SC  74  AD  BA  BC  BD  BF  BU  CXA  HCF  IRF  KA  KIA  LA  LM  MC  NE  ST  STK  TDA  TL  UA  



Информация Найдено :: 1351360Страница: << | 29061 | 29062 | 29063 | 29064 | 29065 | 29066 | 29067 | 29068 | 29069 | 29070 | 29071 | >>
НомерЧасть ИмяОписаниеПроизводитель
1162601STB25NM60NT4Mosfet MDmesh ПОКОЛЕНИЯ N-CHANNEL 650 @Tjmax-0.140&-20A TO-220/TO-220FP/D2PAK/I2PAK/TO-247 ВТОРОГОST Microelectronics
1162602STB26NM60NN-канальный 600 В, 0,135 Ом тип., 20 MDmesh (TM) II Мощность MOSFET в D2PAK пакетаST Microelectronics
1162603STB26NM60NDN-канальный 600 В, 0,145 Ом тип., 21 FDmesh (TM) II Мощность MOSFET (с быстрым диодом) в D2PAK пакетаST Microelectronics
1162604STB270N4F3N-канальный 40 В, 1,6 мОм ном., 160 STripFET (TM) III PowerMOSFET в D2PAK пакетаST Microelectronics
1162605STB27NM60NDN-канальный 600 В, 0,13 Ом, 21 FDmesh (TM) II Мощность MOSFET (с быстрым диодом) в D2PAKST Microelectronics
1162606STB28N60M2N-канальный 600 В, 0,135 Ом тип., 22 MDmesh II Plus (TM) низкие Qg Полевые транзисторы в D2PAK пакетаST Microelectronics
1162607STB28NM50NN-канальный 500 В, 0,135 Ом тип., 21 MDmesh (TM) II Мощность MOSFET в D2PAK пакетаST Microelectronics
1162608STB28NM60NDN-канальный 600 В, 0,120 Ом тип., 24 FDmesh (TM) II Мощность MOSFET (с быстрым диодом) в D2PAK пакетаST Microelectronics
1162609STB2N62K3N-канальный 620 В, 3 Ом, 2,2, D2PAK SuperMESH3 (TM) Мощность MOSFETST Microelectronics
1162610STB3015Н - КАНАЛ 30V - 0.013 ома - 40A - mosfet СИЛЫ D2PAK/TO-220 STripFETOST Microelectronics
1162611STB3015Н - КАНАЛ 30V - 0.013 ома - 40A - mosfet СИЛЫ D2PAK/TO-220 STripFETOST Microelectronics
1162612STB3015LN-CHANNEL 30V - 0.013 ОМА - MOSFET СИЛЫ 40A D2PAK/TO-220 STRIPFETST Microelectronics
1162613STB3015LН - КАНАЛ 30V - 0.013 Ш - 40A - Mosfet СИЛЫ Д 2 PAK/TO-220 STripFETSGS Thomson Microelectronics
1162614STB3015LN-CHANNEL 30V - 0.013 ОМА - MOSFET СИЛЫ 40A D2PAK/TO-220 STRIPFETSGS Thomson Microelectronics
1162615STB3020LН - КАНАЛ 30V - 0.019W - 40A - Mosfet СИЛЫ Д 2 PAK STripFETSGS Thomson Microelectronics
1162616STB30N10СТАРЫЙ ПРОДУКТ: ЦЕЛЕСООБРАЗНО ДЛЯ НОВОГО DESIGN-INST Microelectronics
1162617STB30N10СТАРЫЙ ПРОДУКТ: ЦЕЛЕСООБРАЗНО ДЛЯ НОВОГО DESIGN-INSGS Thomson Microelectronics
1162618STB30N10Н - КАНАЛ 100V - 0.06ЈOhm - 30A - ТРАНЗИСТОР Mos СИЛЫ Д 2 PAKSGS Thomson Microelectronics
1162619STB30N65M5N-канальный 650 В, 0,125 Ом, 22, MDmesh (TM) V Мощность MOSFET D2PAKST Microelectronics
1162620STB30NE06LN-CHANNEL 60V - 0.35 ОМА - MOSFET СИЛЫ 30A D2PAK STRIPFETST Microelectronics
1162621STB30NE06LN-CHANNEL 60V - 0.35 ОМА - MOSFET СИЛЫ 30A D2PAK STRIPFETSGS Thomson Microelectronics
1162622STB30NE06LН - КАНАЛ 60V - 0.35 Ома - 30A - Mosfet СИЛЫ Д 2 PAK STripFETSGS Thomson Microelectronics
1162623STB30NF10MOSFET СИЛЫ II ОБЯЗАННОСТИ STRIPFET СТРОБА ОМА 35ЈA TO-220/TO-220FP/D2PAK N-CHANNEL 100V 0.038 НИЗКИЙST Microelectronics
1162624STB30NF10MOSFET СИЛЫ II ОБЯЗАННОСТИ STRIPFET СТРОБА ОМА 35ЈA TO-220/TO-220FP/D2PAK N-CHANNEL 100V 0.038 НИЗКИЙSGS Thomson Microelectronics
1162625STB30NF10T4MOSFET СИЛЫ II ОБЯЗАННОСТИ STRIPFET СТРОБА ОМА 35ЈA TO-220/TO-220FP/D2PAK N-CHANNEL 100V 0.038 НИЗКИЙST Microelectronics
1162626STB30NF20N-канальный 200 В, 0,065 Ом, 30, D2PAK STripFET (TM) Мощность MOSFETST Microelectronics
1162627STB30NF20LN-канальный 200 В, 0,065 Ом, 30, D2PAK STripFET (TM) Мощность MOSFETST Microelectronics
1162628STB30NS15N-CHANNEL 150V - 0.075 ОМА - MOSFET СИЛЫ ОБЯЗАННОСТИ STRIPFET СТРОБА 30A D2PAK НИЗКИЙST Microelectronics
1162629STB31N65M5N-канальный 650 В, 0,124 Ом, 22 MDmesh (TM) V Мощность MOSFET в D2PAK пакетаST Microelectronics
1162630STB32N65M5N-канальный 650 В, 0,095 Ом, 24, MDmesh (TM) V Мощность MOSFET в D2PAKST Microelectronics
1162631STB32NM50NN-канальный 500 В, 0,1 Ом тип., 22 MDmesh (TM) II Мощность MOSFET в D2PAK пакетаST Microelectronics
1162632STB33N60M2N-канальный 600 В, 0,108 Ом тип., 26 MDmesh II Plus (TM) низкие Qg Полевые транзисторы в D2PAK пакетаST Microelectronics
1162633STB34N65M5N-канальный 650 В, 0,09 Ом, 28 MDmesh (TM) V Мощность MOSFET в D2PAK пакетаST Microelectronics
1162634STB34NM60NN-канальный 600 В, 0,092 Ом, 29, MDmesh (TM) II Мощность MOSFET в D2PAKST Microelectronics
1162635STB34NM60NDN-канальный 600 В, 0,097 Ом, 29 FDmesh (TM) II Мощность MOSFET (с быстрым диодом) D2PAKST Microelectronics
1162636STB35N65M5N-канальный 650 В, 0,085 Ом, 27, MDmesh (TM) V Мощность MOSFET в D2PAKST Microelectronics
1162637STB35NF10MOSFET СИЛЫ ОБЯЗАННОСТИ STRIPFET СТРОБА ОМА 40A TO-220/D2PAK N-CHANNEL 100V 0 030 НИЗКИЙST Microelectronics
1162638STB35NF10MOSFET СИЛЫ ОБЯЗАННОСТИ STRIPFET СТРОБА ОМА 40A TO-220/D2PAK N-CHANNEL 100V 0 030 НИЗКИЙSGS Thomson Microelectronics
1162639STB35NF10T4MOSFET СИЛЫ ОБЯЗАННОСТИ STRIPFET СТРОБА ОМА 40A TO-220/D2PAK N-CHANNEL 100V 0 030 НИЗКИЙST Microelectronics
1162640STB36NF02LN-CHANNEL 20V - 0.016 ОМА - 36ЈA - MOSFET СИЛЫ ОБЯЗАННОСТИ STRIPFET СТРОБА D2PAK НИЗКИЙST Microelectronics
Информация Найдено :: 1351360Страница: << | 29061 | 29062 | 29063 | 29064 | 29065 | 29066 | 29067 | 29068 | 29069 | 29070 | 29071 | >>
English Version for this page Version franaise pour cette page Deutsche Version fr diese Seite Verso portuguese para esta pgina



© 2020 - www.DatasheetCatalog.com