|   Главная страница   |   Все производители   |   В функции   |  

Часть название, описание или производитель содержать:

   
Быстрый переход к:   1N  2N  2SA  2SC  74  AD  BA  BC  BD  BF  BU  CXA  HCF  IRF  KA  KIA  LA  LM  MC  NE  ST  STK  TDA  TL  UA  



Информация Найдено :: 1351360Страница: << | 1175 | 1176 | 1177 | 1178 | 1179 | 1180 | 1181 | 1182 | 1183 | 1184 | 1185 | >>
НомерЧасть ИмяОписаниеПроизводитель
471612N519240.000W средней мощности NPN Пластиковые выводами транзистора. 80V VCEO, 4.000A Ic, 7 HFE.Continental Device India Limited
471622N5193Освинцованное General purpose Транзистора СилыCentral Semiconductor
471632N5194Освинцованное General purpose Транзистора СилыCentral Semiconductor
471642N5194Сила 4ЈA 60V PNPDON Semiconductor
471652N5194-DТранзисторы Силы Кремния PNPON Semiconductor
471662N5195ТРАНЗИСТОР КРЕМНИЯ PNPST Microelectronics
471672N5195СРЕДСТВ ТРАНЗИСТОР КРЕМНИЯ СИЛЫ PNPSGS Thomson Microelectronics
471682N5195Освинцованное General purpose Транзистора СилыCentral Semiconductor
471692N5195Сила 4ЈA 80V PNPON Semiconductor
471702N5196Монолитовое General purposeVishay
471712N5196Двойной N-канальный усилитель общего назначения JFET.Intersil
471722N5197Монолитовое General purposeVishay
471732N5197Двойной N-канальный усилитель общего назначения JFET.Intersil
471742N5198Монолитовое General purposeVishay
471752N5198Двойной N-канальный усилитель общего назначения JFET.Intersil
471762N5199Монолитовое General purposeVishay
471772N5199Двойной N-канальный усилитель общего назначения JFET.Intersil
471782N5202ВЫСОКОСКОРОСТНЫЕ ЭПИТАКСИАЛЬНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ КРЕМНИЯ NPN СБОРНИКА ПЛОСКОСТНЫЕGeneral Electric Solid State
471792N5202ВЫСОКОСКОРОСТНЫЕ ЭПИТАКСИАЛЬНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ КРЕМНИЯ NPN СБОРНИКА ПЛОСКОСТНЫЕGeneral Electric Solid State
471802N5204scr управлением участка 600V 22ЈA в пакете TO-208ЈAA (TO-48)International Rectifier
471812N520425 и 35 амперов rms SCRsKnox Semiconductor Inc
471822N5205scr управлением участка 800V 22ЈA в пакете TO-208ЈAA (TO-48)International Rectifier
471832N520525 и 35 амперов rms SCRsKnox Semiconductor Inc
471842N5206scr управлением участка 1000V 22ЈA в пакете TO-208ЈAA (TO-48)International Rectifier
471852N520625 и 35 амперов rms SCRsKnox Semiconductor Inc
471862N5207scr управлением участка 1200V 22ЈA в пакете TO-208ЈAA (TO-48)International Rectifier
471872N520725 и 35 амперов rms SCRsKnox Semiconductor Inc
471882N5208СЛУЧАЙ 29-04, вводит 2 в моду К-92(ТО-22ЬЈАА)Motorola
471892N5209ТРАНЗИСТОРЫ СИГНАЛА НИЗКОГО ШУМА AF КРЕМНИЯ NPN МАЛЫЕMicro Electronics
471902N5209Освинцованное Малое General purpose Транзистора СигналаCentral Semiconductor
471912N5209Кремний Transistors(NPN Усилителя)ON Semiconductor
471922N5209-DКремний Транзисторов NPN УсилителяON Semiconductor
471932N5209RLREУсилитель Транзистор NPNON Semiconductor
471942N5210Держатель Поверхности Транзисторов Усилителя NPN Общего назначенияFairchild Semiconductor
471952N5210ТРАНЗИСТОРЫ СИГНАЛА НИЗКОГО ШУМА AF КРЕМНИЯ NPN МАЛЫЕMicro Electronics
471962N5210Освинцованное Малое General purpose Транзистора СигналаCentral Semiconductor
471972N5210Кремний Transistors(NPN Усилителя)ON Semiconductor
471982N5210ТРАНЗИСТОР КРЕМНИЯ NPN ЭПИТАКСИАЛЬНЫЙ ДЛЯ UHF ТЮНЕРА OSC/MIXSamsung Electronic
471992N5210Транзисторов усилителя. Напряжение коллектор-эмиттер: 50V = VCEO. Напряжения коллектор-база: 50V = VCBO. Рассеиваемая Коллекционер: ПК (макUSHA India LTD
472002N5210BUДержатель Поверхности Транзисторов Усилителя NPN Общего назначенияFairchild Semiconductor
Информация Найдено :: 1351360Страница: << | 1175 | 1176 | 1177 | 1178 | 1179 | 1180 | 1181 | 1182 | 1183 | 1184 | 1185 | >>
English Version for this page Version franaise pour cette page Deutsche Version fr diese Seite Verso portuguese para esta pgina



© 2022 - www.DatasheetCatalog.com