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Nr.Nombre de la parteDescripciónFabricante
601H11A5100H11A520 H11A550 H11A5100General Electric Solid State
602H11A520H11A520 H11A550 H11A5100General Electric Solid State
603H11A550H11A520 H11A550 H11A5100General Electric Solid State
604H11B255Fotón acopla aislador. Ga Como diodo emisor de infrarrojos y NPN de silicio foto-amplificador Darlington.General Electric Solid State
605H23A1DETECTOR EMITIDO EMPAREJADOGeneral Electric Solid State
606H23A2DETECTOR EMITIDO EMPAREJADOGeneral Electric Solid State
607H23B1PAR EMPAREJADO DEL DETECTOR DEL EMISORGeneral Electric Solid State
608H23L1Par Emparejado H23L1 Del Emisor-DetectorGeneral Electric Solid State
609H74A1EL FOTÓN JUNTÓ EL AISLADORGeneral Electric Solid State
610ICL7605Amplificador De Instrumentaion Del Automo'vil-Cero De la Alta Confiabilidad Que conmutaGeneral Electric Solid State
611ICL8007Amplificador Operacional Entrado JFET Alto De la ConfiabilidadGeneral Electric Solid State
612ICL8022(ICL8021/ICL8023) Amplificador Operacional Bipolar De la Energía BajaGeneral Electric Solid State
613IRF120N-canal de energía en modo de enriquecimiento de efecto de campo transistor. Drenaje-sourge 100V de tensión. Continua de drenaje 32 A de corriente.General Electric Solid State
614IRF121N-canal de energía en modo de enriquecimiento de efecto de campo transistor. Drenaje-sourge 60V de tensión. Continua de drenaje 32 A de corriente.General Electric Solid State
615IRF122N-canal de energía en modo de enriquecimiento de efecto de campo transistor. Drenaje-sourge 100V de tensión. Continua de drenaje 28A actual.General Electric Solid State
616IRF123N-canal de energía en modo de enriquecimiento de efecto de campo transistor. Drenaje-sourge 60V de tensión. Continua de drenaje 28A actual.General Electric Solid State
617IRF130N-canal de energía en modo de enriquecimiento de efecto de campo transistor. Drenaje-sourge 100V de tensión. Continua de drenaje 56A actual.General Electric Solid State
618IRF131N-canal de energía en modo de enriquecimiento de efecto de campo transistor. Drenaje-sourge 60V de tensión. Continua de drenaje 56A actual.General Electric Solid State
619IRF132N-canal de energía en modo de enriquecimiento de efecto de campo transistor. Drenaje-sourge 100V de tensión. Continua de drenaje 48A actual.General Electric Solid State
620IRF133N-canal de energía en modo de enriquecimiento de efecto de campo transistor. Drenaje-sourge 60V de tensión. Continua de drenaje 48A actual.General Electric Solid State
621IRF150N-canal de energía en modo de enriquecimiento de efecto de campo transistor. Drenaje-sourge 100V de tensión. Corriente continua de drenaje (a Tc 25deg) 40A.General Electric Solid State
622IRF151N-canal de energía en modo de enriquecimiento de efecto de campo transistor. Drenaje-sourge 60V de tensión. Corriente continua de drenaje (a Tc 25deg) 40A.General Electric Solid State
623IRF152N-canal de energía en modo de enriquecimiento de efecto de campo transistor. Drenaje-sourge 100V de tensión. Corriente continua de drenaje (a Tc 25deg) 33A.General Electric Solid State
624IRF153N-canal de energía en modo de enriquecimiento de efecto de campo transistor. Drenaje-sourge 60V de tensión. Corriente continua de drenaje (a Tc 25deg) 33A.General Electric Solid State
625IRF220N-canal de energía en modo de enriquecimiento de efecto de campo transistor. Drenaje-sourge 200V de tensión. Corriente continua de drenaje (a Tc 25deg) 5,0 A.General Electric Solid State
626IRF221N-canal de energía en modo de enriquecimiento de efecto de campo transistor. Drenaje-sourge 150V de tensión. Corriente continua de drenaje (a Tc 25deg) 5,0 A.General Electric Solid State
627IRF222N-canal de energía en modo de enriquecimiento de efecto de campo transistor. Drenaje-sourge 200V de tensión. Corriente continua de drenaje (a Tc 25deg) 4.0A.General Electric Solid State
628IRF223N-canal de energía en modo de enriquecimiento de efecto de campo transistor. Drenaje-sourge 150V de tensión. Corriente continua de drenaje (a Tc 25deg) 4.0A.General Electric Solid State



629IRF230N-canal de energía en modo de enriquecimiento de efecto de campo transistor. Drenaje-sourge 200V de tensión. Corriente continua de drenaje (a Tc 25deg) 9.0a.General Electric Solid State
630IRF231N-canal de energía en modo de enriquecimiento de efecto de campo transistor. Drenaje-sourge 150V de tensión. Corriente continua de drenaje (a Tc 25deg) 9.0a.General Electric Solid State
631IRF232N-canal de energía en modo de enriquecimiento de efecto de campo transistor. Drenaje-sourge 200V de tensión. Corriente continua de drenaje (a Tc 25deg) 8.0A.General Electric Solid State
632IRF233N-canal de energía en modo de enriquecimiento de efecto de campo transistor. Drenaje-sourge 150V de tensión. Corriente continua de drenaje (a Tc 25deg) 8.0A.General Electric Solid State
633IRF241N-canal de energía en modo de enriquecimiento de efecto de campo transistor. Drenaje-sourge 150V de tensión. Corriente continua de drenaje (a Tc 25deg) 18A.General Electric Solid State
634IRF243N-canal de energía en modo de enriquecimiento de efecto de campo transistor. Drenaje-sourge 150V de tensión. Corriente continua de drenaje (a Tc 25deg) 16A.General Electric Solid State
635IRF250N-canal de energía en modo de enriquecimiento de efecto de campo transistor. Drenaje-sourge 200V de tensión. Corriente continua de drenaje (a Tc 25deg) 30A.General Electric Solid State
636IRF251N-canal de energía en modo de enriquecimiento de efecto de campo transistor. Drenaje-sourge 150V de tensión. Corriente continua de drenaje (a Tc 25deg) 30A.General Electric Solid State
637IRF252N-canal de energía en modo de enriquecimiento de efecto de campo transistor. Drenaje-sourge 200V de tensión. Corriente continua de drenaje (a Tc 25deg) 25A.General Electric Solid State
638IRF253N-canal de energía en modo de enriquecimiento de efecto de campo transistor. Drenaje-sourge 150V de tensión. Corriente continua de drenaje (a Tc 25deg) 25A.General Electric Solid State
639IRF320N-canal de energía en modo de enriquecimiento de efecto de campo transistor. Drenaje-sourge 400V de tensión. Corriente continua de drenaje (a Tc 25deg) 3.0A.General Electric Solid State
640IRF321N-canal de energía en modo de enriquecimiento de efecto de campo transistor. Drenaje-sourge 350V de tensión. Corriente continua de drenaje (a Tc 25deg) 3.0A.General Electric Solid State
641IRF322N-canal de energía en modo de enriquecimiento de efecto de campo transistor. Drenaje-sourge 400V de tensión. Corriente continua de drenaje (a Tc 25deg) 2.5A.General Electric Solid State
642IRF323N-canal de energía en modo de enriquecimiento de efecto de campo transistor. Drenaje-sourge 350V de tensión. Corriente continua de drenaje (a Tc 25deg) 2.5A.General Electric Solid State
643IRF330N-canal de energía en modo de enriquecimiento de efecto de campo transistor. Drenaje-sourge 400V de tensión. Corriente continua de drenaje (a Tc 25deg) 5.5A.General Electric Solid State
644IRF331N-canal de energía en modo de enriquecimiento de efecto de campo transistor. Drenaje-sourge 350V de tensión. Corriente continua de drenaje (a Tc 25deg) 5.5A.General Electric Solid State
645IRF332N-canal de energía en modo de enriquecimiento de efecto de campo transistor. Drenaje-sourge 400V de tensión. Corriente continua de drenaje (a Tc 25deg) 4,5 A.General Electric Solid State
646IRF333N-canal de energía en modo de enriquecimiento de efecto de campo transistor. Drenaje-sourge 350V de tensión. Corriente continua de drenaje (a Tc 25deg) 4,5 A.General Electric Solid State
647IRF350N-canal de energía en modo de enriquecimiento de efecto de campo transistor. Drenaje-sourge 400V de tensión. Corriente continua de drenaje (a Tc 25deg) 15A.General Electric Solid State
648IRF351N-canal de energía en modo de enriquecimiento de efecto de campo transistor. Drenaje-sourge 350V de tensión. Corriente continua de drenaje (a Tc 25deg) 15A.General Electric Solid State
649IRF352N-canal de energía en modo de enriquecimiento de efecto de campo transistor. Drenaje-sourge 400V de tensión. Corriente continua de drenaje (a Tc 25deg) 13A.General Electric Solid State
650IRF353N-canal de energía en modo de enriquecimiento de efecto de campo transistor. Drenaje-sourge 350V de tensión. Corriente continua de drenaje (a Tc 25deg) 13A.General Electric Solid State

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