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Hojas de datos encontradas :: 1013

Nr.	Nombre de la parte	Descripción	Fabricante
351	2N687	25A rectificador controlado de silicio. Vrsom 400V.	General Electric Solid State
352	2N688	25A rectificador controlado de silicio. Vrsom 500V.	General Electric Solid State
353	2N689	25A rectificador controlado de silicio. Vrsom 600V.	General Electric Solid State
354	2N690	25A rectificador controlado de silicio. Vrsom 720V.	General Electric Solid State
355	2N691	25A rectificador controlado de silicio. Vrsom 840V.	General Electric Solid State
356	2N692	25A rectificador controlado de silicio. Vrsom 960V.	General Electric Solid State
357	2N697	Silicio NPN transistor planar.	General Electric Solid State
358	3N128	Transistor del MOS Del Silicio	General Electric Solid State
359	3N142	TRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO AISLADO SILICIO DE LA PUERTA	General Electric Solid State
360	3N142	TRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO AISLADO SILICIO DE LA PUERTA	General Electric Solid State
361	3N143	Transistor del MOS Del Silicio	General Electric Solid State
362	3N143	Transistor del MOS Del Silicio	General Electric Solid State
363	3N152	Transistor de silicio MOS.	General Electric Solid State
364	3N153	TRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO AISLADO SILICIO DE LA PUERTA	General Electric Solid State
365	3N153	TRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO AISLADO SILICIO DE LA PUERTA	General Electric Solid State
366	3N154	TRANSISTOR DEL MOS DEL SILICIO	General Electric Solid State
367	3N154	TRANSISTOR DEL MOS DEL SILICIO	General Electric Solid State
368	3N187	Dual de puerta aislada de efecto de campo transistor de silicio.	General Electric Solid State
369	3N200	Dual de puerta aislada de efecto de campo transistor de silicio.	General Electric Solid State
370	3N204	Dual de puerta aislada de efecto de campo transistor de silicio.	General Electric Solid State
371	3N205	Dual de puerta aislada de efecto de campo transistor de silicio.	General Electric Solid State
372	3N206	Dual de puerta aislada de efecto de campo transistor de silicio.	General Electric Solid State
373	40346	Silicio mediano aumento NPN transistor planar.	General Electric Solid State
374	40347	Transistor de silicio NPN. 60V, 8.75W.	General Electric Solid State
375	40348	Transistor de silicio NPN. 90V, 8.75W.	General Electric Solid State
376	40406	Silicio PNP transistor de potencia. -50V.	General Electric Solid State
377	40407	Silicio NPN transistor de potencia. 50V.	General Electric Solid State

378	40408	Silicio NPN transistor de potencia. 90V.	General Electric Solid State
379	40411	Silicio NPN transistor de potencia. 90V (RBE 100Ohm).	General Electric Solid State
380	40412	Silicio mediano aumento NPN transistor planar.	General Electric Solid State
381	BD142	Silicio NPN transistor de alta potencia. 50V, 117W.	General Electric Solid State
382	BD181	Silicio NPN transistor de alta potencia. 55V, 117W.	General Electric Solid State
383	BD182	Silicio NPN transistor de alta potencia. 70V, 117W.	General Electric Solid State
384	BD183	Silicio NPN transistor de alta potencia. 85V, 117W.	General Electric Solid State
385	BD201	Epitaxial del silicio NPN VERSAWATT-base del transistor. 60V, 60W.	General Electric Solid State
386	BD202	Epitaxial del silicio de PNP-base VERSAWATT transistor. -60V, 60W.	General Electric Solid State
387	BD203	Epitaxial del silicio NPN VERSAWATT-base del transistor. 80V, 60W.	General Electric Solid State
388	BD204	Epitaxial del silicio de PNP-base VERSAWATT transistor. -80V, 60W.	General Electric Solid State
389	BD239	Transistor de potencia Pro electrón	General Electric Solid State
390	BD239A	Transistor de potencia Pro electrón	General Electric Solid State
391	BD239B	Transistor de potencia Pro electrón	General Electric Solid State
392	BD239C	Transistor de potencia Pro electrón	General Electric Solid State
393	BD240	Epitaxial del silicio de PNP-base VERSAWATT transistor. Vcer -55V, 30W.	General Electric Solid State
394	BD240A	Epitaxial del silicio de PNP-base VERSAWATT transistor. Vcer -70V, 30W.	General Electric Solid State
395	BD240B	Epitaxial del silicio de PNP-base VERSAWATT transistor. Vcer -90V, 30W.	General Electric Solid State
396	BD240C	Epitaxial del silicio de PNP-base VERSAWATT transistor. Vcer -115V, 30W.	General Electric Solid State
397	BD241	Epitaxial del silicio NPN VERSAWATT-base del transistor. Vcer 55V, 40W.	General Electric Solid State
398	BD241A	Epitaxial del silicio NPN VERSAWATT-base del transistor. Vcer 70V, 40W.	General Electric Solid State
399	BD241B	Epitaxial del silicio NPN VERSAWATT-base del transistor. Vcer 90V, 40W.	General Electric Solid State
400	BD241C	Epitaxial del silicio NPN VERSAWATT-base del transistor. Vcer 115V, 40W.	General Electric Solid State

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