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Les fiches techniques ont trouvé :: 1013

Nr.	Nom de partie	Description	Fabricant
301	2N6533	8 transistor de puissance NPN Darlington. 120 V. 60 W. gain de 1000 à 3 A.	General Electric Solid State
302	2N6542	3A puissance de commutation transistor NPN.	General Electric Solid State
303	2N6544	5A puissance de commutation transistor NPN.	General Electric Solid State
304	2N6545	5A puissance de commutation transistor NPN.	General Electric Solid State
305	2N6546	10A puissance de commutation transistor NPN.	General Electric Solid State
306	2N6576	15 Un NPN Darlington transistor de puissance. 60 V. 120 W. Gain de l'année 2000 à 4 A.	General Electric Solid State
307	2N6577	15 Un NPN Darlington transistor de puissance. 90 V. 120 W. Gain de l'année 2000 à 4 A.	General Electric Solid State
308	2N6578	15 Un NPN Darlington transistor de puissance. 120 V. 120 W. Gain de l'année 2000 à 4 A.	General Electric Solid State
309	2N6609	Silicon PNP épitaxiale-base du transistor de puissance élevée. -160V, 150W.	General Electric Solid State
310	2N6648	10 transistor de puissance PNP Darlington. -40 V. 70 W. gain de 1000 à 5 A.	General Electric Solid State
311	2N6649	10 transistor de puissance PNP Darlington. -60 V. 70 W. gain de 1000 à 5 A.	General Electric Solid State
312	2N6650	10 transistor de puissance PNP Darlington. -80 V. 70 W. gain de 1000 à 5 A.	General Electric Solid State
313	2N6666	10 transistor de puissance PNP Darlington. -40 V. 65 W. gain de 1000 à 3 A.	General Electric Solid State
314	2N6667	10 transistor de puissance PNP Darlington. -60 V. 65 W. gain de 1000 à 5 A.	General Electric Solid State
315	2N6668	10 transistor de puissance PNP Darlington. -80 V. 65 W. gain de 1000 à 5 A.	General Electric Solid State
316	2N6671	5 transistor de puissance Une SwitchMax. Haute tension type NPN.	General Electric Solid State
317	2N6672	5 transistor de puissance Une SwitchMax. Haute tension type NPN.	General Electric Solid State
318	2N6673	5 transistor de puissance Une SwitchMax. Haute tension type NPN.	General Electric Solid State
319	2N6676	15 transistor de puissance Une SwitchMax. Haute tension type NPN.	General Electric Solid State
320	2N6677	15 transistor de puissance Une SwitchMax. Haute tension type NPN.	General Electric Solid State
321	2N6678	15 transistor de puissance Une SwitchMax. Haute tension type NPN.	General Electric Solid State
322	2N6686	25 transistor de puissance Une SwitchMax. Type NPN.	General Electric Solid State
323	2N6687	25 transistor de puissance Une SwitchMax. Type NPN.	General Electric Solid State
324	2N6688	25 transistor de puissance Une SwitchMax. Type NPN.	General Electric Solid State
325	2N6702	Haute-courant silicium de transistor NPN VERSAWATT.	General Electric Solid State
326	2N6703	Haute-courant silicium de transistor NPN VERSAWATT.	General Electric Solid State
327	2N6704	Haute-courant silicium de transistor NPN VERSAWATT.	General Electric Solid State

328	2N6751	5 transistor de puissance Une SwitchMax. Haute tension type NPN.	General Electric Solid State
329	2N6752	5 transistor de puissance Une SwitchMax. Haute tension type NPN.	General Electric Solid State
330	2N6753	5 transistor de puissance Une SwitchMax. Haute tension type NPN.	General Electric Solid State
331	2N6754	5 transistor de puissance Une SwitchMax. Haute tension type NPN.	General Electric Solid State
332	2N6755	N-canal du transistor à effet de champ de puissance à mode d'enrichissement. Égoutter-sourge tension 60V. Courant de drain continue (Tc 25deg) 12A.	General Electric Solid State
333	2N6756	N-canal du transistor à effet de champ de puissance à mode d'enrichissement. Drain-sourge tension 100V. Courant de drain continue (Tc 25deg) 14A.	General Electric Solid State
334	2N6757	N-canal du transistor à effet de champ de puissance à mode d'enrichissement. Drain-sourge tension 150V. Courant de drain continue (Tc 25deg) 8.0A.	General Electric Solid State
335	2N6758	N-canal du transistor à effet de champ de puissance à mode d'enrichissement. Drain-sourge tension 200V. Courant de drain continue (Tc 25deg) 9,0 A.	General Electric Solid State
336	2N6759	N-canal du transistor à effet de champ de puissance à mode d'enrichissement. Drain-sourge tension 350V. Courant de drain continue (Tc 25deg) 4.5A.	General Electric Solid State
337	2N6760	N-canal du transistor à effet de champ de puissance à mode d'enrichissement. Drain-sourge tension 400V. Courant de drain continue (Tc 25deg) 5.5A.	General Electric Solid State
338	2N6761	N-canal du transistor à effet de champ de puissance à mode d'enrichissement. Drain-sourge tension 450V. Courant de drain continue (Tc 25deg) 4.0A.	General Electric Solid State
339	2N6762	N-canal du transistor à effet de champ de puissance à mode d'enrichissement. Drain-sourge tension 500V. Courant de drain continue (Tc 25deg) 4.5A.	General Electric Solid State
340	2N6764	N-canal du transistor à effet de champ de puissance à mode d'enrichissement. Drain-sourge tension 100V. Courant de drain continue (Tc 25deg) 38A.	General Electric Solid State
341	2N6766	N-canal du transistor à effet de champ de puissance à mode d'enrichissement. Drain-sourge tension 200V. Courant de drain continue (Tc 25deg) 30A.	General Electric Solid State
342	2N6782	N-canal du transistor à effet de champ de puissance à mode d'enrichissement. 3.5 A, 100V.	General Electric Solid State
343	2N6788	N-canal du transistor à effet de champ de puissance à mode d'enrichissement. 6.0 A, 100V.	General Electric Solid State
344	2N6796	N-canal du transistor à effet de champ de puissance à mode d'enrichissement. 8.0 A, 100V.	General Electric Solid State
345	2N681	25A redresseur commandé au silicium. Vrsom 35V.	General Electric Solid State
346	2N682	25A redresseur commandé au silicium. Vrsom 75V.	General Electric Solid State
347	2N683	25A redresseur commandé au silicium. Vrsom 150V.	General Electric Solid State
348	2N684	25A redresseur commandé au silicium. Vrsom 225V.	General Electric Solid State
349	2N685	25A redresseur commandé au silicium. Vrsom 300V.	General Electric Solid State
350	2N686	25A redresseur commandé au silicium. Vrsom 350V.	General Electric Solid State

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