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IRF332 Vorbei Hergestellt: |
N-Kanal-Anreicherungs-Leistungs-Feldeffekttransistor ist. Drain-sourge Spannung 400V. Drain-Gleichstrom (bei Tc 25deg) 4.5A. Andere mit der gleichen Akte für datasheet: IRF330, IRF333, IRF331, |
Download IRF332 datasheet von General Electric Solid State |
pdf 167 kb |
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N-CHANNEL ENERGIE MOSFETS | Download IRF332 datasheet von Samsung Electronic |
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4.5A und 5.5A, 350V und 400V, 1,0 und 1,5 Ohm, N-Kanal-Leistungs-MOSFETs | Download IRF332 datasheet von Intersil |
pdf 63 kb |
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N-Führung Energie MOSFETs/ 5.5A/ 350 V/400V Andere mit der gleichen Akte für datasheet: IRF731, IRF733, IRF330-333, IRF732, |
Download IRF332 datasheet von Fairchild Semiconductor |
pdf 182 kb |
IRF3315STRR | Ansicht IRF332 zu unserem Katalog | IRF333 |