| Nr. | Teilname | Beschreibung | Hersteller |
| 48441 | 2N6211 | Verbleiter Energie Transistor-Universeller Zweck | Central Semiconductor |
| 48442 | 2N6211 | Hochspannung, Mittelleistungs Silizium PNP-Transistor. | General Electric Solid State |
| 48443 | 2N6212 | PNP Transistor | Microsemi |
| 48444 | 2N6212 | ENERGIE TRANSISTORS(2A, 35W) | MOSPEC Semiconductor |
| 48445 | 2N6212 | MEDIUM-POWER HOCHSPANNUNGSPNP ENERGIE TRANSISTOREN | Boca Semiconductor Corporation |
| 48446 | 2N6212 | Verbleiter Energie Transistor-Universeller Zweck | Central Semiconductor |
| 48447 | 2N6212 | Hochspannung, Mittelleistungs Silizium PNP-Transistor. | General Electric Solid State |
| 48448 | 2N6213 | PNP Transistor | Microsemi |
| 48449 | 2N6213 | ENERGIE TRANSISTORS(2A, 35W) | MOSPEC Semiconductor |
| 48450 | 2N6213 | MEDIUM-POWER HOCHSPANNUNGSPNP ENERGIE TRANSISTOREN | Boca Semiconductor Corporation |
| 48451 | 2N6213 | Verbleiter Energie Transistor-Universeller Zweck | Central Semiconductor |
| 48452 | 2N6213 | Hochspannung, Mittelleistungs Silizium PNP-Transistor. | General Electric Solid State |
| 48453 | 2N6214 | Hochspannung, Mittelleistungs Silizium PNP-Transistor. | General Electric Solid State |
| 48454 | 2N6226 | Zweipolige PNP Vorrichtung | SemeLAB |
| 48455 | 2N6227 | Zweipolige PNP Vorrichtung | SemeLAB |
| 48456 | 2N6227 | Zweipolige PNP Vorrichtung | SemeLAB |
| 48457 | 2N6229 | Verbleiter Energie Transistor-Universeller Zweck | Central Semiconductor |
| 48458 | 2N6230 | Zweipolige PNP Vorrichtung in einem hermetisch Siegel-paket des Metallto3 | SemeLAB |
| 48459 | 2N6231 | SILIKON-ENERGIE TRANSISTOR | Central Semiconductor |
| 48460 | 2N6231 | SILIKON-ENERGIE TRANSISTOR | Central Semiconductor |
| 48461 | 2N6232 | NPN Transistor | Microsemi |
| 48462 | 2N6233 | 4 SILIKON DES AMPERE-ENERGIE TRANSISTOR-PNP | Motorola |
| 48463 | 2N6234 | Zweipolige NPN Vorrichtung in einem hermetisch Siegel-paket des Metallto66. | SemeLAB |
| 48464 | 2N6235 | 4 SILIKON DES AMPERE-ENERGIE TRANSISTOR-PNP | Motorola |
| 48465 | 2N6235 | Zweipolige NPN Vorrichtung in einem hermetisch Siegel-paket des Metallto66 | SemeLAB |
| 48466 | 2N6240 | Silikon-kontrollierte Gleichrichter-blockierende TriodeRückthyristoren | Motorola |
| 48467 | 2N6240 | Silikon-kontrollierte Gleichrichter-blockierende TriodeRückthyristoren | Motorola |
| 48468 | 2N6240-D | Blockierende Triode Rückthyristoren | ON Semiconductor |
| 48469 | 2N6246 | Verbleiter Energie Transistor-Universeller Zweck | Central Semiconductor |
| 48470 | 2N6246 | Zweipolige PNP Vorrichtung | SemeLAB |
| 48471 | 2N6246 | Epitaxial-Basis, Silizium PNP Hochleistungstransistor. -70V, 125W. | General Electric Solid State |
| 48472 | 2N6247 | Verbleiter Energie Transistor-Universeller Zweck | Central Semiconductor |
| 48473 | 2N6247 | Zweipolige PNP Vorrichtung in einem hermetisch Siegel-paket des Metallto3 | SemeLAB |
| 48474 | 2N6247 | Epitaxial-Basis, Silizium PNP Hochleistungstransistor. -90V, 125W. | General Electric Solid State |
| 48475 | 2N6248 | Verbleiter Energie Transistor-Universeller Zweck | Central Semiconductor |
| 48476 | 2N6248 | Epitaxial-Basis, Silizium PNP Hochleistungstransistor. -110V, 125W. | General Electric Solid State |
| 48477 | 2N6249 | NPN Transistor | Microsemi |
| 48478 | 2N6249 | NPN SILIKON-TRANSISTOR | Central Semiconductor |
| 48479 | 2N6249 | 300V, 30A, 175W Silizium NPN switcing Transistor. | General Electric Solid State |
| 48480 | 2N6250 | NPN Transistor | Microsemi |
| | | |
