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Nr.TeilnameBeschreibungHersteller
484812N6250NPN SILIKON-TRANSISTORCentral Semiconductor
484822N6250375V, 30A, 175W Silizium NPN switcing Transistor.General Electric Solid State
484832N6251NPN TransistorMicrosemi
484842N6251NPN SILIKON-TRANSISTORCentral Semiconductor
484852N6251450V, 30A, 175W Silizium NPN switcing Transistor.General Electric Solid State
484862N6253Zweipolige NPN Vorrichtung in einem hermetisch Siegel-paket des Metallto3SemeLAB
484872N6253Verbleiter Energie Transistor-Universeller ZweckCentral Semiconductor
484882N625345V Hochleistungssilizium NPN-TransistorComset Semiconductors
484892N6253High-Power-Silizium NPN-Transistor. 55V, 115W.General Electric Solid State
484902N6254Verbleiter Energie Transistor-Universeller ZweckCentral Semiconductor
484912N6254Silikon-TransistorenAdvanced Semiconductor
484922N625480V Hochleistungssilizium NPN-TransistorComset Semiconductors
484932N6254High-Power-Silizium NPN-Transistor. 100V, 150W.General Electric Solid State
484942N6255RF U. MIKROWELLE GETRENNTE NIEDRIGE ENERGIE TRANSISTORENMicrosemi
484952N6257Energie TO-3 Paket-Transistoren (NPN)Unknow
484962N6257Energie TO-3 Paket-Transistoren (NPN)Unknow
484972N6259ENERGIE TRANSISTORS(16A, 150v, 150w)MOSPEC Semiconductor
484982N6259Hochspannung, Hochleistungstransistor. 170V, 250W.General Electric Solid State
484992N6260Verbleiter Energie Transistor-Universeller ZweckCentral Semiconductor



485002N6261TRANSISTOR DES HOMETAXIAL-BASE MITTLERER ENERGIE SILIKON-NPNSemeLAB
485012N6261Verbleiter Energie Transistor-Universeller ZweckCentral Semiconductor
485022N6262Hochspannung Silizium NPN-Transistor. 170V, 150W.General Electric Solid State
485032N6263Verbleiter Energie Transistor-Universeller ZweckCentral Semiconductor
485042N6263Zweipolige NPN VorrichtungSemeLAB
485052N6263Mittlerer Leistung Silizium NPN-Transistor. 140V, 20W.General Electric Solid State
485062N6264Zweipolige NPN VorrichtungSemeLAB
485072N6264Mittlerer Leistung Silizium NPN-Transistor. 170V, 50W.General Electric Solid State
485082N6270Zweipolige NPN Vorrichtung in einem hermetisch Siegel-paket des Metallto3.SemeLAB
485092N6274NPN TransistorMicrosemi
485102N6274SILIKON DER ENERGIE TRANSISTOR-NPNON Semiconductor
485112N6275SILIKON DER ENERGIE TRANSISTOR-NPNON Semiconductor
485122N6276Zweipolige NPN VorrichtungSemeLAB
485132N6277NPN TransistorMicrosemi
485142N6277SILIKON DER ENERGIE TRANSISTOR-NPNON Semiconductor
485152N6282ENERGIE TRANSISTORS(20A, 160w)MOSPEC Semiconductor
485162N6282DARLINGTON COPLEMENTARY SILIKON-ENERGIE TRANSISTORENBoca Semiconductor Corporation
485172N6282Verbleiter Energie Transistor DarlingtonCentral Semiconductor
485182N6282DARLINGTON ERGÄNZENDE SILIKON-ENERGIE TRANSISTORENON Semiconductor
485192N628220 A komplementären NPN und PNP monolithischen Darlington-Leistungstransistor. Hohe Nennspannung 60 V (min). 160 W.General Electric Solid State
485202N6283NPN Darlington TransistorMicrosemi
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