|   Primera página   |   Todos los fabricantes   |   Por la función   |

Número de pieza, la descripción o el fabricante contener:

Salto rápido a:   1N  2N  2SA  2SC  74  AD  BA  BC  BD  BF  BU  CXA  HCF  IRF  KA  KIA  LA  LM  MC  NE  ST  STK  TDA  TL  UA

Hojas de datos encontradas :: 10329

Nr.	Nombre de la parte	Descripción	Fabricante
6301	KM44C4103CK-6	4M x 4 bits CMOS quad CAS DRAM con el modo de página rápida, 5V, 60ns	Samsung Electronic
6302	KM44C4103CKL-5	4M x 4 bits CMOS quad CAS DRAM con el modo de página rápida, 5V, 50ns	Samsung Electronic
6303	KM44C4103CKL-6	4M x 4 bits CMOS quad CAS DRAM con el modo de página rápida, 5V, 60ns	Samsung Electronic
6304	KM44C4103CS-5	4M x 4 bits CMOS quad CAS DRAM con el modo de página rápida, 5V, 50ns	Samsung Electronic
6305	KM44C4103CS-6	4M x 4 bits CMOS quad CAS DRAM con el modo de página rápida, 5V, 60ns	Samsung Electronic
6306	KM44C4103CSL-5	4M x 4 bits CMOS quad CAS DRAM con el modo de página rápida, 5V, 50ns	Samsung Electronic
6307	KM44C4103CSL-6	4M x 4 bits CMOS quad CAS DRAM con el modo de página rápida, 5V, 60ns	Samsung Electronic
6308	KM44C4104A-5	50ns; V (cc / in / out): -1 a + 7V; 1W; 4M x 4 bit CMOS RAM dinámica con datos extendidos hacia fuera	Samsung Electronic
6309	KM44C4104A-6	60ns; V (cc / in / out): -1 a + 7V; 1W; 4M x 4 bit CMOS RAM dinámica con datos extendidos hacia fuera	Samsung Electronic
6310	KM44C4104A-7	70ns; V (cc / in / out): -1 a + 7V; 1W; 4M x 4 bit CMOS RAM dinámica con datos extendidos hacia fuera	Samsung Electronic
6311	KM44C4104A-8	80ns; V (cc / in / out): -1 a + 7V; 1W; 4M x 4 bit CMOS RAM dinámica con datos extendidos hacia fuera	Samsung Electronic
6312	KM44C4104AL-5	50ns; V (cc / in / out): -1 a + 7V; 1W; 4M x 4 bit CMOS RAM dinámica con datos extendidos hacia fuera	Samsung Electronic
6313	KM44C4104AL-6	60ns; V (cc / in / out): -1 a + 7V; 1W; 4M x 4 bit CMOS RAM dinámica con datos extendidos hacia fuera	Samsung Electronic
6314	KM44C4104AL-7	70ns; V (cc / in / out): -1 a + 7V; 1W; 4M x 4 bit CMOS RAM dinámica con datos extendidos hacia fuera	Samsung Electronic
6315	KM44C4104AL-8	80ns; V (cc / in / out): -1 a + 7V; 1W; 4M x 4 bit CMOS RAM dinámica con datos extendidos hacia fuera	Samsung Electronic
6316	KM44C4104ALL-5	50ns; V (cc / in / out): -1 a + 7V; 1W; 4M x 4 bit CMOS RAM dinámica con datos extendidos hacia fuera	Samsung Electronic
6317	KM44C4104ALL-6	60ns; V (cc / in / out): -1 a + 7V; 1W; 4M x 4 bit CMOS RAM dinámica con datos extendidos hacia fuera	Samsung Electronic
6318	KM44C4104ALL-7	70ns; V (cc / in / out): -1 a + 7V; 1W; 4M x 4 bit CMOS RAM dinámica con datos extendidos hacia fuera	Samsung Electronic
6319	KM44C4104ALL-8	80ns; V (cc / in / out): -1 a + 7V; 1W; 4M x 4 bit CMOS RAM dinámica con datos extendidos hacia fuera	Samsung Electronic
6320	KM44C4104ASL-5	50ns; V (cc / in / out): -1 a + 7V; 1W; 4M x 4 bit CMOS RAM dinámica con datos extendidos hacia fuera	Samsung Electronic
6321	KM44C4104ASL-6	60ns; V (cc / in / out): -1 a + 7V; 1W; 4M x 4 bit CMOS RAM dinámica con datos extendidos hacia fuera	Samsung Electronic
6322	KM44C4104ASL-7	70ns; V (cc / in / out): -1 a + 7V; 1W; 4M x 4 bit CMOS RAM dinámica con datos extendidos hacia fuera	Samsung Electronic
6323	KM44C4104ASL-8	80ns; V (cc / in / out): -1 a + 7V; 1W; 4M x 4 bit CMOS RAM dinámica con datos extendidos hacia fuera	Samsung Electronic
6324	KM44C4105C	COPITA del CAS del cuadrángulo de los 4M x 4Bit Cmos con datos extendidos hacia fuera	Samsung Electronic
6325	KM44C4105CK-5	4M CMOS x 4 bits quad CAS DRAM con datos extendidos hacia fuera, 50ns	Samsung Electronic
6326	KM44C4105CK-6	4M CMOS x 4 bits quad CAS DRAM con datos extendidos hacia fuera, 60ns	Samsung Electronic
6327	KM44C4105CKL-5	4M CMOS x 4 bits quad CAS DRAM con datos extendidos hacia fuera, 50ns	Samsung Electronic
6328	KM44C4105CKL-6	4M CMOS x 4 bits quad CAS DRAM con datos extendidos hacia fuera, 60ns	Samsung Electronic
6329	KM44C4105CS-5	4M CMOS x 4 bits quad CAS DRAM con datos extendidos hacia fuera, 50ns	Samsung Electronic
6330	KM44C4105CS-6	4M CMOS x 4 bits quad CAS DRAM con datos extendidos hacia fuera, 60ns	Samsung Electronic
6331	KM44C4105CSL-5	4M CMOS x 4 bits quad CAS DRAM con datos extendidos hacia fuera, 50ns	Samsung Electronic
6332	KM44C4105CSL-6	4M CMOS x 4 bits quad CAS DRAM con datos extendidos hacia fuera, 60ns	Samsung Electronic
6333	KM44L32031BT	128CMb DDR SDRAM	Samsung Electronic
6334	KM44L32031BT-F0	128 Mb DDR SDRAM. Versión 0.61, frecuencia de funcionamiento. 100 MHz, velocidad de 10 ns.	Samsung Electronic
6335	KM44L32031BT-FY	128 Mb DDR SDRAM. Versión 0.61, frecuencia de funcionamiento. 133 MHz, velocidad de 7,5 ns.	Samsung Electronic
6336	KM44L32031BT-FZ	128 Mb DDR SDRAM. Versión 0.61, frecuencia de funcionamiento. 133 MHz, velocidad de 7,5 ns.	Samsung Electronic
6337	KM44L32031BT-G(F)0	Versión 0,61 De la Especificación de DDR SDRAM	Samsung Electronic
6338	KM44L32031BT-G(F)Y	Versión 0,61 De la Especificación de DDR SDRAM	Samsung Electronic
6339	KM44L32031BT-G(F)Z	Versión 0,61 De la Especificación de DDR SDRAM	Samsung Electronic
6340	KM44L32031BT-G(L)0	Versión 1,0 De la Especificación de DDR SDRAM	Samsung Electronic
6341	KM44L32031BT-G(L)Y	Versión 1,0 De la Especificación de DDR SDRAM	Samsung Electronic
6342	KM44L32031BT-G(L)Z	Versión 1,0 De la Especificación de DDR SDRAM	Samsung Electronic
6343	KM44L32031BT-G0	128 Mb DDR SDRAM. Versión 0.61, frecuencia de funcionamiento. 100 MHz, velocidad de 10 ns.	Samsung Electronic
6344	KM44L32031BT-GY	128 Mb DDR SDRAM. Versión 0.61, frecuencia de funcionamiento. 133 MHz, velocidad de 7,5 ns.	Samsung Electronic
6345	KM44L32031BT-GZ	128 Mb DDR SDRAM. Versión 0.61, frecuencia de funcionamiento. 133 MHz, velocidad de 7,5 ns.	Samsung Electronic
6346	KM44S16030BT-G_F10	100MHz; -1,0 A 4.6V; 1W; 50mA; 4M x 4 bits x 4 bancos sincrónica CMOS SDRAM	Samsung Electronic
6347	KM44S16030BT-G_F8	125MHz; -1,0 A 4.6V; 1W; 50mA; 4M x 4 bits x 4 bancos sincrónica CMOS SDRAM	Samsung Electronic
6348	KM44S16030BT-G_FH	100MHz; -1,0 A 4.6V; 1W; 50mA; 4M x 4 bits x 4 bancos sincrónica CMOS SDRAM	Samsung Electronic
6349	KM44S16030BT-G_FL	100MHz; -1,0 A 4.6V; 1W; 50mA; 4M x 4 bits x 4 bancos sincrónica CMOS SDRAM	Samsung Electronic
6350	KM44S16030CT-G_F10	100MHz; -1,0 A 4.6V; 1W; 50mA; 4M x 4 bits x 4 bancos sincrónica CMOS SDRAM	Samsung Electronic
6351	KM44S16030CT-G_F7	143MHz; -1,0 A 4.6V; 1W; 50mA; 4M x 4 bits x 4 bancos sincrónica CMOS SDRAM	Samsung Electronic
6352	KM44S16030CT-G_F8	125MHz; -1,0 A 4.6V; 1W; 50mA; 4M x 4 bits x 4 bancos sincrónica CMOS SDRAM	Samsung Electronic
6353	KM44S16030CT-G_FH	100MHz; -1,0 A 4.6V; 1W; 50mA; 4M x 4 bits x 4 bancos sincrónica CMOS SDRAM	Samsung Electronic
6354	KM44S16030CT-G_FL	100MHz; -1,0 A 4.6V; 1W; 50mA; 4M x 4 bits x 4 bancos sincrónica CMOS SDRAM	Samsung Electronic
6355	KM44S32030	los 8M x 4Bit x COPITA síncrona de 4 bancos	Samsung Electronic
6356	KM44S32030B	los 8M x 4Bit x COPITA síncrona LVTTL de 4 bancos	Samsung Electronic

6357	KM44S32030BT-G/F10	128Mbit SDRAM los 8M x 4Bit x COPITA síncrona LVTTL de4 bancos	Samsung Electronic
6358	KM44S32030BT-G/F8	128Mbit SDRAM los 8M x 4Bit x COPITA síncrona LVTTL de4 bancos	Samsung Electronic
6359	KM44S32030BT-G/FA	128Mbit SDRAM los 8M x 4Bit x COPITA síncrona LVTTL de4 bancos	Samsung Electronic
6360	KM44S32030BT-G/FH	128Mbit SDRAM los 8M x 4Bit x COPITA síncrona LVTTL de4 bancos	Samsung Electronic
6361	KM44S32030BT-G/FL	128Mbit SDRAM los 8M x 4Bit x COPITA síncrona LVTTL de4 bancos	Samsung Electronic
6362	KM44S32030T-G/F10	los 8M x 4Bit x COPITA síncrona de 4 bancos	Samsung Electronic
6363	KM44S32030T-G/F8	los 8M x 4Bit x COPITA síncrona de 4 bancos	Samsung Electronic
6364	KM44S32030T-G/FH	los 8M x 4Bit x COPITA síncrona de 4 bancos	Samsung Electronic
6365	KM44S32030T-G/FL	los 8M x 4Bit x COPITA síncrona de 4 bancos	Samsung Electronic
6366	KM44S3203BT-G_F10	8M x 4 bits x 4 bancos LVTTL DRAMA sincrónica. Frec máx. 66 MHz (CL = 2 & 3).	Samsung Electronic
6367	KM44S3203BT-G_F8	8M x 4 bits x 4 bancos LVTTL DRAMA sincrónica. Frec máx. 125 MHz (CL = 3).	Samsung Electronic
6368	KM44S3203BT-G_FA	8M x 4 bits x 4 bancos LVTTL DRAMA sincrónica. Frec máx. 133 MHz (CL = 3).	Samsung Electronic
6369	KM44S3203BT-G_FH	8M x 4 bits x 4 bancos LVTTL DRAMA sincrónica. Frec máx. 100 MHz (CL = 2).	Samsung Electronic
6370	KM44S3203BT-G_FL	8M x 4 bits x 4 bancos LVTTL DRAMA sincrónica. Frec máx. 100 MHz (CL = 3).	Samsung Electronic
6371	KM44V1000D	ESPOLÓN dinámico del 1M x 4Bit Cmos con modo rápido de la página	Samsung Electronic
6372	KM44V1000DJ-6	1M x 4 bits CMOS RAM dinámica con el modo de página rápida, 3.3V, 60ns	Samsung Electronic
6373	KM44V1000DJ-7	1M x 4 bits CMOS RAM dinámica con el modo de página rápida, 3.3V, 70ns	Samsung Electronic
6374	KM44V1000DJL-6	1M x 4 bits CMOS RAM dinámica con el modo de página rápida, 3.3V, 60ns	Samsung Electronic
6375	KM44V1000DJL-7	1M x 4 bits CMOS RAM dinámica con el modo de página rápida, 3.3V, 70ns	Samsung Electronic
6376	KM44V1000DT-6	1M x 4 bits CMOS RAM dinámica con el modo de página rápida, 3.3V, 60ns	Samsung Electronic
6377	KM44V1000DT-7	1M x 4 bits CMOS RAM dinámica con el modo de página rápida, 3.3V, 70ns	Samsung Electronic
6378	KM44V1000DTL-6	1M x 4 bits CMOS RAM dinámica con el modo de página rápida, 3.3V, 60ns	Samsung Electronic
6379	KM44V1000DTL-7	1M x 4 bits CMOS RAM dinámica con el modo de página rápida, 3.3V, 70ns	Samsung Electronic
6380	KM44V4000C	ESPOLÓN dinámico de los 4M x 4Bit Cmos con modo rápido de la página	Samsung Electronic
6381	KM44V4000CK-5	4M x 4 bits CMOS RAM dinámica con el modo de página rápida, 3.3V, 50ns	Samsung Electronic
6382	KM44V4000CK-6	4M x 4 bits CMOS RAM dinámica con el modo de página rápida, 3.3V, 60ns	Samsung Electronic
6383	KM44V4000CKL-5	4M x 4 bits CMOS RAM dinámica con el modo de página rápida, 3.3V, 50ns	Samsung Electronic
6384	KM44V4000CKL-6	4M x 4 bits CMOS RAM dinámica con el modo de página rápida, 3.3V, 60ns	Samsung Electronic
6385	KM44V4000CS-5	4M x 4 bits CMOS RAM dinámica con el modo de página rápida, 3.3V, 50ns	Samsung Electronic
6386	KM44V4000CS-6	4M x 4 bits CMOS RAM dinámica con el modo de página rápida, 3.3V, 60ns	Samsung Electronic
6387	KM44V4000CSL-5	4M x 4 bits CMOS RAM dinámica con el modo de página rápida, 3.3V, 50ns	Samsung Electronic
6388	KM44V4000CSL-6	4M x 4 bits CMOS RAM dinámica con el modo de página rápida, 3.3V, 60ns	Samsung Electronic
6389	KM44V4100C	ESPOLÓN dinámico de los 4M x 4Bit Cmos con modo rápido de la página	Samsung Electronic
6390	KM44V4100CK-5	4M x 4 bits CMOS RAM dinámica con el modo de página rápida, 3.3V, 50ns	Samsung Electronic
6391	KM44V4100CK-6	4M x 4 bits CMOS RAM dinámica con el modo de página rápida, 3.3V, 60ns	Samsung Electronic
6392	KM44V4100CKL-5	4M x 4 bits CMOS RAM dinámica con el modo de página rápida, 3.3V, 50ns	Samsung Electronic
6393	KM44V4100CKL-6	4M x 4 bits CMOS RAM dinámica con el modo de página rápida, 3.3V, 60ns	Samsung Electronic
6394	KM44V4100CS-5	4M x 4 bits CMOS RAM dinámica con el modo de página rápida, 3.3V, 50ns	Samsung Electronic
6395	KM44V4100CS-6	4M x 4 bits CMOS RAM dinámica con el modo de página rápida, 3.3V, 60ns	Samsung Electronic
6396	KM44V4100CSL-5	4M x 4 bits CMOS RAM dinámica con el modo de página rápida, 3.3V, 50ns	Samsung Electronic
6397	KM44V4100CSL-6	4M x 4 bits CMOS RAM dinámica con el modo de página rápida, 3.3V, 60ns	Samsung Electronic
6398	KM44V4104BK	V (cc): -0,5 a + 4.6V; 1W; 50mA; 4M x 4-bit CMOS RAM dinámica con datos extendidos hacia fuera	Samsung Electronic
6399	KM48C2000B	ESPOLÓN dinámico de los 2M x 8Bit Cmos con modo rápido de la página	Samsung Electronic
6400	KM48C2000BK-5	2M x 8bit CMOS RAM dinámica con el modo de página rápida, 5V, 50ns	Samsung Electronic

Página: | 1 | 2 | 3 | 4 | 5 | 6 | 7 | 8 | 9 | 10 | 11 | 12 | 13 | 14 | 15 | 16 | 17 | 18 | 19 | 20 | 21 | 22 | 23 | 24 | 25 | 26 | 27 | 28 | 29 | 30 | 31 | 32 | 33 | 34 | 35 | 36 | 37 | 38 | 39 | 40 | 41 | 42 | 43 | 44 | 45 | 46 | 47 | 48 | 49 | 50 | 51 | 52 | 53 | 54 | 55 | 56 | 57 | 58 | 59 | 60 | 61 | 62 | 63 | 64 | 65 | 66 | 67 | 68 | 69 | 70 | 71 | 72 | 73 | 74 | 75 | 76 | 77 | 78 | 79 | 80 | 81 | 82 | 83 | 84 | 85 | 86 | 87 | 88 | 89 | 90 | 91 | 92 | 93 | 94 | 95 | 96 | 97 | 98 | 99 | 100 | 101 | 102 | 103 | 104 |

© 2023    www.datasheetcatalog.net/es/samsungelectronic/1/