|   Главная страница   |   Все производители   |   В функции   |  

Часть название, описание или производитель содержать:

   
Быстрый переход к:   1N  2N  2SA  2SC  74  AD  BA  BC  BD  BF  BU  CXA  HCF  IRF  KA  KIA  LA  LM  MC  NE  ST  STK  TDA  TL  UA  



Информация Найдено :: 10329 English Version for this page Version française pour cette page Deutsche Version für diese Seite Versione italiana per questa pagina Versão portuguese para esta página
НомерЧасть ИмяОписаниеПроизводитель
5901KM416RD8AC-RK70256K х 16 х 32s зависимые банки прямым RDRAM. Время доступа: 45 нс, частота вращения: 711 Мбит (356 МГц).Samsung Electronic
5902KM416RD8AC-RK80256K х 16 х 32s зависимые банки прямым RDRAM. Время доступа: 45 нс, частота вращения: 800 Мбит (400 МГц).Samsung Electronic
5903KM416RD8AD128/144Mbit RDRAM 256K x 16/18 крены бита x 2*16 зависимые направляют RDRAMTMSamsung Electronic
5904KM416RD8AD-RG60256K х 16 х 32s зависимые банки прямым RDRAM. Время доступа: 53.3 нс, скорость: 600 Мбит (300 МГц).Samsung Electronic
5905KM416RD8AD-RK70256K х 16 х 32s зависимые банки прямым RDRAM. Время доступа: 45 нс, частота вращения: 711 Мбит (356 МГц).Samsung Electronic
5906KM416RD8AD-RK80256K х 16 х 32s зависимые банки прямым RDRAM. Время доступа: 45 нс, частота вращения: 800 Мбит (400 МГц).Samsung Electronic
5907KM416RD8ASСразу RDRAM. Лист ДанныхSamsung Electronic
5908KM416RD8AS-RBM80128Mbit RDRAM 256K x 16 кренов 2*16 бита x зависимых направляют RDRAMTM для пакета едокаSamsung Electronic
5909KM416RD8AS-RM80256K х 16 х 32s зависимые банки для потребительской упаковки. Время доступа: 40 нс, частота вращения: 800 Мбит (400 МГц).Samsung Electronic
5910KM416RD8AS-SCM80128Mbit RDRAM 256K x 16 кренов 2*16 бита x зависимых направляют RDRAMTM для пакета едокаSamsung Electronic
5911KM416RD8AS-SM80256K х 16 х 32s зависимые банки для потребительской упаковки. Время доступа: 40 нс, частота вращения: 800 Мбит (400 МГц).Samsung Electronic
5912KM416RD8C128/144Mbit RDRAM 256K x 16/18 крены бита x 2*16 зависимые направляют RDRAMTMSamsung Electronic
5913KM416RD8D128/144Mbit RDRAM 256K x 16/18 крены бита x 2*16 зависимые направляют RDRAMTMSamsung Electronic
5914KM416S4030C1M x 16Bit x DRAM LVTTL 4 кренов одновременныйSamsung Electronic
5915KM416S4030CT-F101M x 16Bit x DRAM LVTTL 4 кренов одновременныйSamsung Electronic
5916KM416S4030CT-F71M x 16Bit x DRAM LVTTL 4 кренов одновременныйSamsung Electronic
5917KM416S4030CT-F81M x 16Bit x DRAM LVTTL 4 кренов одновременныйSamsung Electronic
5918KM416S4030CT-FH1M x 16Bit x DRAM LVTTL 4 кренов одновременныйSamsung Electronic
5919KM416S4030CT-FL1M x 16Bit x DRAM LVTTL 4 кренов одновременныйSamsung Electronic
5920KM416S4030CT-G1M x 16Bit x DRAM LVTTL 4 кренов одновременныйSamsung Electronic
5921KM416S4030CT-G764 Мбит (1M х 16bit х 4 Банки) bynchronous ДРАМЫ LVTTL, 143 МГцSamsung Electronic
5922KM416S4030CT-G864 Мбит (1M х 16bit х 4 Банки) bynchronous ДРАМЫ LVTTL, 125МГцSamsung Electronic
5923KM416S4030CT-GH64 Мбит (1M х 16bit х 4 Банки) bynchronous ДРАМЫ LVTTL, 100 МГцSamsung Electronic
5924KM416S4030CT-GL64 Мбит (1M х 16bit х 4 Банки) bynchronous ДРАМЫ LVTTL, 100 МГцSamsung Electronic
5925KM416S4030CT-L1064 Мбит (1M х 16bit х 4 Банки) bynchronous ДРАМЫ LVTTL, 100 МГцSamsung Electronic
5926KM416S80302M х 16Bit x DRAM 4 кренов одновременныйSamsung Electronic
5927KM416S8030B2M х 16Bit x DRAM LVTTL 4 кренов одновременныйSamsung Electronic
5928KM416S8030BT-G/F10128Mbit SDRAM 2M х 16Bit x DRAM LVTTL 4 кренов одновременныйSamsung Electronic
5929KM416S8030BT-G/F8128Mbit SDRAM 2M х 16Bit x DRAM LVTTL 4 кренов одновременныйSamsung Electronic
5930KM416S8030BT-G/FA128Mbit SDRAM 2M х 16Bit x DRAM LVTTL 4 кренов одновременныйSamsung Electronic
5931KM416S8030BT-G/FH128Mbit SDRAM 2M х 16Bit x DRAM LVTTL 4 кренов одновременныйSamsung Electronic
5932KM416S8030BT-G/FL128Mbit SDRAM 2M х 16Bit x DRAM LVTTL 4 кренов одновременныйSamsung Electronic
5933KM416S8030T-G/F102M х 16Bit x DRAM 4 кренов одновременныйSamsung Electronic
5934KM416S8030T-G/F82M х 16Bit x DRAM 4 кренов одновременныйSamsung Electronic
5935KM416S8030T-G/FH2M х 16Bit x DRAM 4 кренов одновременныйSamsung Electronic
5936KM416S8030T-G/FL2M х 16Bit x DRAM 4 кренов одновременныйSamsung Electronic
5937KM416V1000BШТОССЕЛЬ 1M x 16Bit cmos динамический с быстрым режимом страницыSamsung Electronic
5938KM416V1000BJ-51M х 16Bit CMOS динамического ОЗУ с режимом быстрой страницу, 3,3, 50 нсSamsung Electronic
5939KM416V1000BJ-61M х 16Bit CMOS динамического ОЗУ с режимом быстрой страницу, 3,3, 60 нсSamsung Electronic
5940KM416V1000BJ-71M х 16Bit CMOS динамического ОЗУ с режимом быстрой страницу, 3,3, 70nsSamsung Electronic
5941KM416V1000BJL-51M х 16Bit CMOS динамического ОЗУ с режимом быстрой страницу, 3,3, 50 нсSamsung Electronic
5942KM416V1000BJL-61M х 16Bit CMOS динамического ОЗУ с режимом быстрой страницу, 3,3, 60 нсSamsung Electronic
5943KM416V1000BJL-71M х 16Bit CMOS динамического ОЗУ с режимом быстрой страницу, 3,3, 70nsSamsung Electronic
5944KM416V1000BT-51M х 16Bit CMOS динамического ОЗУ с режимом быстрой страницу, 3,3, 50 нсSamsung Electronic
5945KM416V1000BT-61M х 16Bit CMOS динамического ОЗУ с режимом быстрой страницу, 3,3, 60 нсSamsung Electronic
5946KM416V1000BT-71M х 16Bit CMOS динамического ОЗУ с режимом быстрой страницу, 3,3, 70nsSamsung Electronic
5947KM416V1000BTL-51M х 16Bit CMOS динамического ОЗУ с режимом быстрой страницу, 3,3, 50 нсSamsung Electronic
5948KM416V1000BTL-61M х 16Bit CMOS динамического ОЗУ с режимом быстрой страницу, 3,3, 60 нсSamsung Electronic
5949KM416V1000BTL-71M х 16Bit CMOS динамического ОЗУ с режимом быстрой страницу, 3,3, 70nsSamsung Electronic
5950KM416V1000CШТОССЕЛЬ 1M x 16Bit cmos динамический с быстрым режимом страницыSamsung Electronic
5951KM416V1000CJ-51M х 16Bit CMOS динамического ОЗУ с режимом быстрой страницу, 3,3, 50 нсSamsung Electronic
5952KM416V1000CJ-61M х 16Bit CMOS динамического ОЗУ с режимом быстрой страницу, 3,3, 60 нсSamsung Electronic
5953KM416V1000CJL-51M х 16Bit CMOS динамического ОЗУ с режимом быстрой страницу, 3,3, 50 нсSamsung Electronic
5954KM416V1000CJL-61M х 16Bit CMOS динамического ОЗУ с режимом быстрой страницу, 3,3, 60 нсSamsung Electronic
5955KM416V1000CT-51M х 16Bit CMOS динамического ОЗУ с режимом быстрой страницу, 3,3, 50 нсSamsung Electronic
5956KM416V1000CT-61M х 16Bit CMOS динамического ОЗУ с режимом быстрой страницу, 3,3, 60 нсSamsung Electronic
5957KM416V1000CTL-51M х 16Bit CMOS динамического ОЗУ с режимом быстрой страницу, 3,3, 50 нсSamsung Electronic



5958KM416V1000CTL-61M х 16Bit CMOS динамического ОЗУ с режимом быстрой страницу, 3,3, 60 нсSamsung Electronic
5959KM416V1004A1M x ШТОССЕЛЬ cmos 16 БИТОВ ДИНАМИЧЕСКИЙ С ВЫДВИНУТЫМИ ДАННЫМИ ВНЕSamsung Electronic
5960KM416V1004A-61M x ШТОССЕЛЬ cmos 16 БИТОВ ДИНАМИЧЕСКИЙ С ВЫДВИНУТЫМИ ДАННЫМИ ВНЕSamsung Electronic
5961KM416V1004A-71M x ШТОССЕЛЬ cmos 16 БИТОВ ДИНАМИЧЕСКИЙ С ВЫДВИНУТЫМИ ДАННЫМИ ВНЕSamsung Electronic
5962KM416V1004A-81M x ШТОССЕЛЬ cmos 16 БИТОВ ДИНАМИЧЕСКИЙ С ВЫДВИНУТЫМИ ДАННЫМИ ВНЕSamsung Electronic
5963KM416V1004A-F61M x ШТОССЕЛЬ cmos 16 БИТОВ ДИНАМИЧЕСКИЙ С ВЫДВИНУТЫМИ ДАННЫМИ ВНЕSamsung Electronic
5964KM416V1004A-F71M x ШТОССЕЛЬ cmos 16 БИТОВ ДИНАМИЧЕСКИЙ С ВЫДВИНУТЫМИ ДАННЫМИ ВНЕSamsung Electronic
5965KM416V1004A-F81M x ШТОССЕЛЬ cmos 16 БИТОВ ДИНАМИЧЕСКИЙ С ВЫДВИНУТЫМИ ДАННЫМИ ВНЕSamsung Electronic
5966KM416V1004A-L61M x ШТОССЕЛЬ cmos 16 БИТОВ ДИНАМИЧЕСКИЙ С ВЫДВИНУТЫМИ ДАННЫМИ ВНЕSamsung Electronic
5967KM416V1004A-L71M x ШТОССЕЛЬ cmos 16 БИТОВ ДИНАМИЧЕСКИЙ С ВЫДВИНУТЫМИ ДАННЫМИ ВНЕSamsung Electronic
5968KM416V1004A-L81M x ШТОССЕЛЬ cmos 16 БИТОВ ДИНАМИЧЕСКИЙ С ВЫДВИНУТЫМИ ДАННЫМИ ВНЕSamsung Electronic
5969KM416V1004AJ-63,3, 1M х 16 бит CMOS DRAM с расширенными данными вне, 60 нсSamsung Electronic
5970KM416V1004AJ-73,3, 1M х 16 бит CMOS DRAM с расширенными данными вне, 70nsSamsung Electronic
5971KM416V1004AJ-83,3, 1M х 16 бит CMOS DRAM с расширенными данными вне, 80 неSamsung Electronic
5972KM416V1004AJ-F63,3, 1M х 16 бит CMOS DRAM с расширенными данными вне, 60 нсSamsung Electronic
5973KM416V1004AJ-F73,3, 1M х 16 бит CMOS DRAM с расширенными данными вне, 70nsSamsung Electronic
5974KM416V1004AJ-F83,3, 1M х 16 бит CMOS DRAM с расширенными данными вне, 80 неSamsung Electronic
5975KM416V1004AJ-L63,3, 1M х 16 бит CMOS DRAM с расширенными данными вне, 60 нсSamsung Electronic
5976KM416V1004AJ-L73,3, 1M х 16 бит CMOS DRAM с расширенными данными вне, 70nsSamsung Electronic
5977KM416V1004AJ-L83,3, 1M х 16 бит CMOS DRAM с расширенными данными вне, 80 неSamsung Electronic
5978KM416V1004AR-63,3, 1M х 16 бит CMOS DRAM с расширенными данными вне, 60 нсSamsung Electronic
5979KM416V1004AR-73,3, 1M х 16 бит CMOS DRAM с расширенными данными вне, 70nsSamsung Electronic
5980KM416V1004AR-83,3, 1M х 16 бит CMOS DRAM с расширенными данными вне, 80 неSamsung Electronic
5981KM416V1004AR-F63,3, 1M х 16 бит CMOS DRAM с расширенными данными вне, 60 нсSamsung Electronic
5982KM416V1004AR-F73,3, 1M х 16 бит CMOS DRAM с расширенными данными вне, 70nsSamsung Electronic
5983KM416V1004AR-F83,3, 1M х 16 бит CMOS DRAM с расширенными данными вне, 80 неSamsung Electronic
5984KM416V1004AR-L63,3, 1M х 16 бит CMOS DRAM с расширенными данными вне, 60 нсSamsung Electronic
5985KM416V1004AR-L73,3, 1M х 16 бит CMOS DRAM с расширенными данными вне, 70nsSamsung Electronic
5986KM416V1004AR-L83,3, 1M х 16 бит CMOS DRAM с расширенными данными вне, 80 неSamsung Electronic
5987KM416V1004AT-63,3, 1M х 16 бит CMOS DRAM с расширенными данными вне, 60 нсSamsung Electronic
5988KM416V1004AT-73,3, 1M х 16 бит CMOS DRAM с расширенными данными вне, 70nsSamsung Electronic
5989KM416V1004AT-83,3, 1M х 16 бит CMOS DRAM с расширенными данными вне, 80 неSamsung Electronic
5990KM416V1004AT-F63,3, 1M х 16 бит CMOS DRAM с расширенными данными вне, 60 нсSamsung Electronic
5991KM416V1004AT-F73,3, 1M х 16 бит CMOS DRAM с расширенными данными вне, 70nsSamsung Electronic
5992KM416V1004AT-F83,3, 1M х 16 бит CMOS DRAM с расширенными данными вне, 80 неSamsung Electronic
5993KM416V1004AT-L63,3, 1M х 16 бит CMOS DRAM с расширенными данными вне, 60 нсSamsung Electronic
5994KM416V1004AT-L73,3, 1M х 16 бит CMOS DRAM с расширенными данными вне, 70nsSamsung Electronic
5995KM416V1004AT-L83,3, 1M х 16 бит CMOS DRAM с расширенными данными вне, 80 неSamsung Electronic
5996KM416V1004BJ-53,3, 1M х 16 бит CMOS DRAM с расширенными данными вне, 50 нсSamsung Electronic
5997KM416V1004BJ-63,3, 1M х 16 бит CMOS DRAM с расширенными данными вне, 60 нсSamsung Electronic
5998KM416V1004BJ-73,3, 1M х 16 бит CMOS DRAM с расширенными данными вне, 70nsSamsung Electronic
5999KM416V1004BJ-L53,3, 1M х 16 бит CMOS DRAM с расширенными данными вне, 50 нсSamsung Electronic
6000KM416V1004BJ-L63,3, 1M х 16 бит CMOS DRAM с расширенными данными вне, 60 нсSamsung Electronic

Страница: | 1 | 2 | 3 | 4 | 5 | 6 | 7 | 8 | 9 | 10 | 11 | 12 | 13 | 14 | 15 | 16 | 17 | 18 | 19 | 20 | 21 | 22 | 23 | 24 | 25 | 26 | 27 | 28 | 29 | 30 | 31 | 32 | 33 | 34 | 35 | 36 | 37 | 38 | 39 | 40 | 41 | 42 | 43 | 44 | 45 | 46 | 47 | 48 | 49 | 50 | 51 | 52 | 53 | 54 | 55 | 56 | 57 | 58 | 59 | 60 | 61 | 62 | 63 | 64 | 65 | 66 | 67 | 68 | 69 | 70 | 71 | 72 | 73 | 74 | 75 | 76 | 77 | 78 | 79 | 80 | 81 | 82 | 83 | 84 | 85 | 86 | 87 | 88 | 89 | 90 | 91 | 92 | 93 | 94 | 95 | 96 | 97 | 98 | 99 | 100 | 101 | 102 | 103 | 104 |


© 2023    www.datasheetcatalog.net/ru/samsungelectronic/1/