|   Главная страница   |   Все производители   |   В функции   |  

Часть название, описание или производитель содержать:

   
Быстрый переход к:   1N  2N  2SA  2SC  74  AD  BA  BC  BD  BF  BU  CXA  HCF  IRF  KA  KIA  LA  LM  MC  NE  ST  STK  TDA  TL  UA  



Информация Найдено :: 10329 English Version for this page Version française pour cette page Deutsche Version für diese Seite Versione italiana per questa pagina Versão portuguese para esta página
НомерЧасть ИмяОписаниеПроизводитель
8001M368L1624DTM-CCCмодуль 184pin unbuffered основанный на 256Mb Д-umiraet 64/72-bit non ECC/ECCSamsung Electronic
8002M368L1624DTM-CCC/C4модуль 184pin unbuffered основанный на 256Mb Д-umiraet 64/72-bit non ECC/ECCSamsung Electronic
8003M368L1624DTM-LCCмодуль 184pin unbuffered основанный на 256Mb Д-umiraet 64/72-bit non ECC/ECCSamsung Electronic
8004M368L1624DTM-LCC/C4модуль 184pin unbuffered основанный на 256Mb Д-umiraet 64/72-bit non ECC/ECCSamsung Electronic
8005M368L1713BT116M х 64 DDR SDRAM 184pin DIMM основанное на листе данных 16Mx8Samsung Electronic
8006M368L1713BT116M х 64 DDR SDRAM 184pin DIMM основанное на серийном присутсвии 16Mx8 обнаружилиSamsung Electronic
8007M368L1713CT116Mx64 DDR SDRAM 184pin DIMM основанное на листе данных 16Mx8Samsung Electronic
8008M368L1714BT116Mx64 DDR SDRAM 184pin DIMM основанное на листе данных 8Mx16Samsung Electronic
8009M368L1714BT116Mx64 DDR SDRAM 184pin DIMM основанное на серийном присутсвии 8Mx16 обнаружилиSamsung Electronic
8010M368L1714DT116Mx64 DDR SDRAM 184pin DIMM основанное на листе данных 8Mx16Samsung Electronic
8011M368L2923CUN-CLCCМодуль 18 DDR SDRAM unbuffered модуль 4 штырей unbuffered основанный на 512Mb Б-umiraetSamsung Electronic
8012M368L2923MT1128Mx64 DDR SDRAM 184pin DIMM основанное на листе данных 64Mx8Samsung Electronic
8013M368L3223BT132Mx64 DDR SDRAM 184pin DIMM основанное на листе данных 32Mx8Samsung Electronic
8014M368L3223BT132Mx64 DDR SDRAM 184pin DIMM основанное на листе данных 32Mx8Samsung Electronic
8015M368L3223CTL32Mx64 DDR SDRAM 184pin DIMM основанное на листе данных 32Mx8Samsung Electronic
8016M368L3223CTL32Mx64 DDR SDRAM 184pin DIMM основанное на серийном присутсвии 32Mx8 обнаружилиSamsung Electronic
8017M368L3223CTL-CA2МОДУЛЬ Unbuffered 184pin DIMM 64Ое-разрядн Non-ECC/Parity 256MB DDR SDRAMSamsung Electronic
8018M368L3223CTL-CB0МОДУЛЬ Unbuffered 184pin DIMM 64Ое-разрядн Non-ECC/Parity 256MB DDR SDRAMSamsung Electronic
8019M368L3223CTL-CB3МОДУЛЬ Unbuffered 184pin DIMM 64Ое-разрядн Non-ECC/Parity 256MB DDR SDRAMSamsung Electronic
8020M368L3223CTL-LA2МОДУЛЬ Unbuffered 184pin DIMM 64Ое-разрядн Non-ECC/Parity 256MB DDR SDRAMSamsung Electronic
8021M368L3223CTL-LB0МОДУЛЬ Unbuffered 184pin DIMM 64Ое-разрядн Non-ECC/Parity 256MB DDR SDRAMSamsung Electronic
8022M368L3223CTL-LB3МОДУЛЬ Unbuffered 184pin DIMM 64Ое-разрядн Non-ECC/Parity 256MB DDR SDRAMSamsung Electronic
8023M368L3223DTLМОДУЛЬ Unbuffered 184pin DIMM 64Ое-разрядн Non-ECC/Parity 256MB DDR SDRAMSamsung Electronic
8024M368L3223DTM-CCCмодуль 184pin unbuffered основанный на 256Mb Д-umiraet 64/72-bit non ECC/ECCSamsung Electronic
8025M368L3223DTM-CCC/C4модуль 184pin unbuffered основанный на 256Mb Д-umiraet 64/72-bit non ECC/ECCSamsung Electronic
8026M368L3223DTM-LCCмодуль 184pin unbuffered основанный на 256Mb Д-umiraet 64/72-bit non ECC/ECCSamsung Electronic
8027M368L3223DTM-LCC/C4модуль 184pin unbuffered основанный на 256Mb Д-umiraet 64/72-bit non ECC/ECCSamsung Electronic
8028M368L3223ETM-CC5модуль 184pin unbuffered основанный на 256Mb Е-umiraet 64/72-bit ECC/Non ECCSamsung Electronic
8029M368L3223ETM-CLCC4Модуль 18 DDR SDRAM unbuffered модуль 4 штырей unbuffered основанный на 512Mb Б-umiraetSamsung Electronic
8030M368L3223ETM-LC5модуль 184pin unbuffered основанный на 256Mb Е-umiraet 64/72-bit ECC/Non ECCSamsung Electronic
8031M368L3223ETNМодуль 18 DDR SDRAM unbuffered модуль 4 штырей unbuffered основанный на 512Mb Б-umiraetSamsung Electronic
8032M368L3223ETN-A2Модуль 18 DDR SDRAM unbuffered модуль 4 штырей unbuffered основанный на 512Mb Б-umiraetSamsung Electronic
8033M368L3223ETN-AAМодуль 18 DDR SDRAM unbuffered модуль 4 штырей unbuffered основанный на 512Mb Б-umiraetSamsung Electronic
8034M368L3223ETN-B0Модуль 18 DDR SDRAM unbuffered модуль 4 штырей unbuffered основанный на 512Mb Б-umiraetSamsung Electronic
8035M368L3223ETN-CB3Модуль 18 DDR SDRAM unbuffered модуль 4 штырей unbuffered основанный на 512Mb Б-umiraetSamsung Electronic
8036M368L3223ETN-CLB3Модуль 18 DDR SDRAM unbuffered модуль 4 штырей unbuffered основанный на 512Mb Б-umiraetSamsung Electronic
8037M368L3313BT132M х 64 DDR SDRAM 184pin DIMM основанное на серийном присутсвии 16Mx8 обнаружилиSamsung Electronic
8038M368L3313BT132M х 64 DDR SDRAM 184pin DIMM основанное на листе данных 16Mx8Samsung Electronic
8039M368L3313CT132Mx64 DDR SDRAM 184pin DIMM основанное на листе данных 16Mx8Samsung Electronic
8040M368L3313CT132Mx64 DDR SDRAM 184pin DIMM основанное на серийном присутсвии 16Mx8 обнаружилиSamsung Electronic
8041M368L3324CUS-CLCCМодуль 18 DDR SDRAM unbuffered модуль 4 штырей unbuffered основанный на 512Mb Б-umiraetSamsung Electronic
8042M368L5623MTNМодуль 18 DDR SDRAM unbuffered модуль 4 штырей unbuffered основанный на 512Mb Б-umiraetSamsung Electronic
8043M368L5623MTN-CA2Модуль 18 DDR SDRAM unbuffered модуль 4 штырей unbuffered основанный на 512Mb Б-umiraetSamsung Electronic
8044M368L5623MTN-CB0Модуль 18 DDR SDRAM unbuffered модуль 4 штырей unbuffered основанный на 512Mb Б-umiraetSamsung Electronic
8045M368L5623MTN-CB3Модуль 18 DDR SDRAM unbuffered модуль 4 штырей unbuffered основанный на 512Mb Б-umiraetSamsung Electronic
8046M368L6423DTM-CCCмодуль 184pin unbuffered основанный на 256Mb Д-umiraet 64/72-bit non ECC/ECCSamsung Electronic
8047M368L6423DTM-CCC/C4модуль 184pin unbuffered основанный на 256Mb Д-umiraet 64/72-bit non ECC/ECCSamsung Electronic
8048M368L6423DTM-LCCмодуль 184pin unbuffered основанный на 256Mb Д-umiraet 64/72-bit non ECC/ECCSamsung Electronic
8049M368L6423DTM-LCC/C4модуль 184pin unbuffered основанный на 256Mb Д-umiraet 64/72-bit non ECC/ECCSamsung Electronic
8050M368L6423ETMМодуль 18 DDR SDRAM unbuffered модуль 4 штырей unbuffered основанный на 512Mb Б-umiraetSamsung Electronic
8051M368L6423ETM-CC5модуль 184pin unbuffered основанный на 256Mb Е-umiraet 64/72-bit ECC/Non ECCSamsung Electronic
8052M368L6423ETM-CCC4Модуль 18 DDR SDRAM unbuffered модуль 4 штырей unbuffered основанный на 512Mb Б-umiraetSamsung Electronic
8053M368L6423ETM-LC5модуль 184pin unbuffered основанный на 256Mb Е-umiraet 64/72-bit ECC/Non ECCSamsung Electronic
8054M368L6423ETN-A2Модуль 18 DDR SDRAM unbuffered модуль 4 штырей unbuffered основанный на 512Mb Б-umiraetSamsung Electronic
8055M368L6423ETN-AAМодуль 18 DDR SDRAM unbuffered модуль 4 штырей unbuffered основанный на 512Mb Б-umiraetSamsung Electronic
8056M368L6423ETN-B0Модуль 18 DDR SDRAM unbuffered модуль 4 штырей unbuffered основанный на 512Mb Б-umiraetSamsung Electronic
8057M368L6423ETN-CB3Модуль 18 DDR SDRAM unbuffered модуль 4 штырей unbuffered основанный на 512Mb Б-umiraetSamsung Electronic
8058M368L6423ETN-CLB3Модуль 18 DDR SDRAM unbuffered модуль 4 штырей unbuffered основанный на 512Mb Б-umiraetSamsung Electronic
8059M368L6523CUSМодуль 18 DDR SDRAM unbuffered модуль 4 штырей unbuffered основанный на 512Mb Б-umiraetSamsung Electronic



8060M368L6523CUS-CCCМодуль 18 DDR SDRAM unbuffered модуль 4 штырей unbuffered основанный на 512Mb Б-umiraetSamsung Electronic
8061M372F0405DT0-C EDO MODE4MB x 72 DRAM DIMM с ECC использующ 4MB x 16 & 4MB x 4, 4KB освежают, лист данных 3.3VSamsung Electronic
8062M372F080(8)3DJ(T)0-C EDO MODE8M х 72 DRAM DIMM с ECC использующ 8M х 8, 4K & 8K освежают, лист данных 3.3VSamsung Electronic
8063M372F0805DT0-C EDO MODE8M х 72 DRAM DIMM с ECC использующ 4Mx16 & 4Mx4, 4K освежает, лист данных 3.3VSamsung Electronic
8064M372F160(8)0DJ(T)0-C16M х 72 DRAM DIMM с ECC использующ 16M х 4, 4K & 8K освежают, лист данных 3.3VSamsung Electronic
8065M372F160(8)0DJ(T)0-C EDO MODE16M х 72 DRAM DIMM с ECC использующ 16M х 4, 4K & 8K освежают, лист данных 3.3VSamsung Electronic
8066M372F320(8)0DJ3-C EDO MODE32M х 72 DRAM DIMM с ECC использующ 16M х 4, 4K & 8K освежают, лист данных 3.3VSamsung Electronic
8067M372F320(8)0DJ4-C EDO MODE32M х 72 DRAM DIMM с ECC использующ 16M х 4, 4K & 8K освежают, лист данных 3.3VSamsung Electronic
8068M372F320(8)0DT1-C EDO MODE32M х 72 DRAM DIMM с ECC использующ 16M х 4, 4K & 8K освежают, лист данных 3.3VSamsung Electronic
8069M372V0405DT0-C FAST PAGE MODE4MB x 72 DRAM DIMM с ECC использующ 4MB x 16 & 4MB x 4, 4KB освежают, лист данных 3.3VSamsung Electronic
8070M372V080(8)3DJ(T)0-C EDO MODE8M х 72 DRAM DIMM с ECC использующ 8M х 8, 4K & 8K освежают, лист данных 3.3VSamsung Electronic
8071M372V160(8)0DJ(T)0-C FAST PAGE MODE16M х 72 DRAM DIMM с ECC использующ 16M х 4, 4K & 8K освежают, лист данных 3.3VSamsung Electronic
8072M372V320(8)0DJ3-C FAST PAGE MODE32M х 72 DRAM DIMM с ECC использующ 16M х 4, 4K & 8K освежают, лист данных 3.3VSamsung Electronic
8073M372V320(8)0DJ4-C FAST PAGE MODE32M х 72 DRAM DIMM с ECC использующ 16M х 4, 4K & 8K освежают, лист данных 3.3VSamsung Electronic
8074M372V320(8)0DT1-C FAST PAGE MODE32M х 72 DRAM DIMM с ECC использующ 16M х 4, 4K & 8K освежают, лист данных 3.3VSamsung Electronic
8075M374F0405DT1-C EDO MODE WITHOUT BUFFER4MB x 72 DRAM DIMM с ECC использующ 4MB x 16 & 4MB x 4, 4KB освежают, лист данных 3.3VSamsung Electronic
8076M374F080(8)3DJ3-C EDO MODE8M х 72 DRAM DIMM с ECC использующ 8M х 8, 8K & 4K освежают, лист данных 3.3VSamsung Electronic
8077M374F0805DT1-C EDO MODE8M x 72 DRAM DIMM with ECC Using 4M x 16 & 4M x 4, 4K Refresh, 3.3V Data SheetSamsung Electronic
8078M374F160(8)0DJ(T)3-C EDO MODE WITHOUT BU16M х 72 DRAM DIMM с ECC использующ 16Mx4, 4K & 8K освежают, лист данных 3.3VSamsung Electronic
8079M374F320(8)0DJ1-C EDO MODE WITHOUT BUFFE32M х 72 DRAM DIMM с ECC использующ 16M х 4, 4K & 8K освежают, лист данных 3.3VSamsung Electronic
8080M374S0823DTS8M х 64 SDRAM SODIMM основанных на 8M х 16, 4Banks, 4K освежают, одновременные dRAMs 3.3V с листом данным по spdSamsung Electronic
8081M374S0823DTS8M х 64 SDRAM SODIMM основанных на 8M х 16, 4Banks, 4K освежают, одновременные одновременные dRAMs 3.3V с листом данным по spdSamsung Electronic
8082M374S0823DTS8M х 64 SDRAM SODIMM основанных на 8M х 16, 4Banks, 4K освежают, одновременные dRAMs 3.3V с листом данным по spdSamsung Electronic
8083M374S0823ETS8Mx72 SDRAM DIMM with ECC based on 8Mx8, 4Banks, 4K Refresh, 3.3V Synchronous DRAMs with SPD Data sheetSamsung Electronic
8084M374S0823FTS8Mx72 SDRAM DIMM при ECC основанное на 8Mx8, 4Banks, 4K освежают, одновременные dRAMs 3.3V с листом данным по spdSamsung Electronic
8085M374S1623DT016M х 72 SDRAM DIMM при ECC основанное на 8M х 8, 4Banks, 4K освежают, одновременные dRAMs 3.3V с листом данным по spdSamsung Electronic
8086M374S1623DT016M х 72 SDRAM DIMM при ECC основанное на 8M х 8, 4Banks, 4K освежают, одновременные dRAMs 3.3V с листом данным по spdSamsung Electronic
8087M374S1623DT016M х 72 SDRAM DIMM при ECC основанное на 8M х 8, 4Banks, 4K освежают, одновременные dRAMs 3.3V с присутсвием spd серийным обнаружилиSamsung Electronic
8088M374S1623DT016M х 72 SDRAM DIMM при ECC основанное на 8M х 8, 4Banks, 4K освежают, одновременные dRAMs 3.3V с присутсвием spd серийным обнаружилиSamsung Electronic
8089M374S1623DT016M х 72 SDRAM DIMM при ECC основанное на 8M х 8, 4Banks, 4K освежают, одновременные dRAMs 3.3V с листом данным по spdSamsung Electronic
8090M374S1623ET016Mx72 SDRAM DIMM при ECC основанное на 8Mx8, 4Banks, 4K освежают, одновременные dRAMs 3.3V с листом данным по spdSamsung Electronic
8091M374S1623ETS16Mx72 SDRAM DIMM при ECC основанное на 8Mx8, 4Banks, 4K освежают, одновременные dRAMs 3.3V с листом данным по spdSamsung Electronic
8092M374S1623FTS16Mx72 SDRAM DIMM при ECC основанное на 8Mx8, 4Banks, 4K освежают, одновременные dRAMs 3.3V с листом данным по spdSamsung Electronic
8093M374S1723BTS16M х 72 SDRAM DIMM ECC основанных на 16M х 8, 4Banks, 4K освежают, одновременные dRAMs 3.3V с присутсвием spd серийным обнаружилиSamsung Electronic
8094M374S1723CTS16M х 72 SDRAM DIMM ECC основанных на 16M х 8, 4Banks, 4K освежают, одновременные dRAMs 3.3V с присутсвием spd серийным обнаружилиSamsung Electronic
8095M374S1723CTS16M х 72 SDRAM DIMM ECC основанных на 16M х 8, 4Banks, 4K освежают, одновременные dRAMs 3.3V с присутсвием spd серийным обнаружилиSamsung Electronic
8096M374S1723CTS16M х 72 SDRAM DIMM ECC основанных на 16M х 8, 4Banks, 4K освежают, одновременные dRAMs 3.3V с присутсвием spd серийным обнаружилиSamsung Electronic
8097M374S1723CTS16M х 72 SDRAM DIMM ECC основанных на 16M х 8, 4Banks, 4K освежают, одновременные dRAMs 3.3V с листом данным по spdSamsung Electronic
8098M374S1723CTS16M х 72 SDRAM DIMM ECC основанных на 16M х 8, 4Banks, 4K освежают, одновременные dRAMs 3.3V с листом данным по spdSamsung Electronic
8099M374S1723ETS-C7AМодуль SDRAM UnbufferedSamsung Electronic
8100M374S1723ETU-C7AМодуль SDRAM UnbufferedSamsung Electronic

Страница: | 1 | 2 | 3 | 4 | 5 | 6 | 7 | 8 | 9 | 10 | 11 | 12 | 13 | 14 | 15 | 16 | 17 | 18 | 19 | 20 | 21 | 22 | 23 | 24 | 25 | 26 | 27 | 28 | 29 | 30 | 31 | 32 | 33 | 34 | 35 | 36 | 37 | 38 | 39 | 40 | 41 | 42 | 43 | 44 | 45 | 46 | 47 | 48 | 49 | 50 | 51 | 52 | 53 | 54 | 55 | 56 | 57 | 58 | 59 | 60 | 61 | 62 | 63 | 64 | 65 | 66 | 67 | 68 | 69 | 70 | 71 | 72 | 73 | 74 | 75 | 76 | 77 | 78 | 79 | 80 | 81 | 82 | 83 | 84 | 85 | 86 | 87 | 88 | 89 | 90 | 91 | 92 | 93 | 94 | 95 | 96 | 97 | 98 | 99 | 100 | 101 | 102 | 103 | 104 |


© 2023    www.datasheetcatalog.net/ru/samsungelectronic/1/