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Nr.Nom de partieDescriptionFabricant
6401KM48C2000BK-6RAM dynamique 2M x 8 bits CMOS avec mode page rapide, 5V, 60nsSamsung Electronic
6402KM48C2000BK-7RAM dynamique 2M x 8 bits CMOS avec mode page rapide, 5V, 70nsSamsung Electronic
6403KM48C2000BKL-5RAM dynamique 2M x 8 bits CMOS avec mode page rapide, 5V, 50nsSamsung Electronic
6404KM48C2000BKL-6RAM dynamique 2M x 8 bits CMOS avec mode page rapide, 5V, 60nsSamsung Electronic
6405KM48C2000BKL-7RAM dynamique 2M x 8 bits CMOS avec mode page rapide, 5V, 70nsSamsung Electronic
6406KM48C2000BS-5RAM dynamique 2M x 8 bits CMOS avec mode page rapide, 5V, 50nsSamsung Electronic
6407KM48C2000BS-6RAM dynamique 2M x 8 bits CMOS avec mode page rapide, 5V, 60nsSamsung Electronic
6408KM48C2000BS-7RAM dynamique 2M x 8 bits CMOS avec mode page rapide, 5V, 70nsSamsung Electronic
6409KM48C2000BSL-5RAM dynamique 2M x 8 bits CMOS avec mode page rapide, 5V, 50nsSamsung Electronic
6410KM48C2000BSL-6RAM dynamique 2M x 8 bits CMOS avec mode page rapide, 5V, 60nsSamsung Electronic
6411KM48C2000BSL-7RAM dynamique 2M x 8 bits CMOS avec mode page rapide, 5V, 70nsSamsung Electronic
6412KM48C2100BRAM dynamique de 2M x 8Bit CMOS avec le mode rapide de pageSamsung Electronic
6413KM48C2100BK-5RAM dynamique 2M x 8 bits CMOS avec mode page rapide, 5V, 50nsSamsung Electronic
6414KM48C2100BK-6RAM dynamique 2M x 8 bits CMOS avec mode page rapide, 5V, 60nsSamsung Electronic
6415KM48C2100BK-7RAM dynamique 2M x 8 bits CMOS avec mode page rapide, 5V, 70nsSamsung Electronic
6416KM48C2100BKL-5RAM dynamique 2M x 8 bits CMOS avec mode page rapide, 5V, 50nsSamsung Electronic
6417KM48C2100BKL-6RAM dynamique 2M x 8 bits CMOS avec mode page rapide, 5V, 60nsSamsung Electronic
6418KM48C2100BKL-7RAM dynamique 2M x 8 bits CMOS avec mode page rapide, 5V, 70nsSamsung Electronic
6419KM48C2100BS-5RAM dynamique 2M x 8 bits CMOS avec mode page rapide, 5V, 50nsSamsung Electronic
6420KM48C2100BS-6RAM dynamique 2M x 8 bits CMOS avec mode page rapide, 5V, 60nsSamsung Electronic
6421KM48C2100BS-7RAM dynamique 2M x 8 bits CMOS avec mode page rapide, 5V, 70nsSamsung Electronic
6422KM48C2100BSL-5RAM dynamique 2M x 8 bits CMOS avec mode page rapide, 5V, 50nsSamsung Electronic
6423KM48C2100BSL-6RAM dynamique 2M x 8 bits CMOS avec mode page rapide, 5V, 60nsSamsung Electronic
6424KM48C2100BSL-7RAM dynamique 2M x 8 bits CMOS avec mode page rapide, 5V, 70nsSamsung Electronic
6425KM48C8004BRAM dynamique de 8M x 8bit CMOS avec des données prolongées dehorsSamsung Electronic
6426KM48C8004BK-45RAM dynamique 8M x 8 bits CMOS avec données étendues sur 5V, 45nsSamsung Electronic
6427KM48C8004BK-5RAM dynamique 8M x 8 bits CMOS avec données étendues sur 5V, 50nsSamsung Electronic
6428KM48C8004BK-6RAM dynamique 8M x 8 bits CMOS avec données étendues sur 5V, 60nsSamsung Electronic
6429KM48C8004BS-45RAM dynamique 8M x 8 bits CMOS avec données étendues sur 5V, 45nsSamsung Electronic
6430KM48C8004BS-5RAM dynamique 8M x 8 bits CMOS avec données étendues sur 5V, 50nsSamsung Electronic
6431KM48C8004BS-6RAM dynamique 8M x 8 bits CMOS avec données étendues sur 5V, 60nsSamsung Electronic
6432KM48C8104BRAM dynamique de 8M x 8bit CMOS avec des données prolongées dehorsSamsung Electronic
6433KM48C8104BK-45RAM dynamique 8M x 8 bits CMOS avec données étendues sur 5V, 45nsSamsung Electronic
6434KM48C8104BK-5RAM dynamique 8M x 8 bits CMOS avec données étendues sur 5V, 50nsSamsung Electronic
6435KM48C8104BK-6RAM dynamique 8M x 8 bits CMOS avec données étendues sur 5V, 60nsSamsung Electronic
6436KM48C8104BS-45RAM dynamique 8M x 8 bits CMOS avec données étendues sur 5V, 45nsSamsung Electronic
6437KM48C8104BS-5RAM dynamique 8M x 8 bits CMOS avec données étendues sur 5V, 50nsSamsung Electronic
6438KM48C8104BS-6RAM dynamique 8M x 8 bits CMOS avec données étendues sur 5V, 60nsSamsung Electronic
6439KM48L16031BT128CMb DDR SDRAMSamsung Electronic
6440KM48L16031BT-F0128 Mo de DDR SDRAM. Version 0.61, fréq exploitation. 100 MHz, vitesse de 10 ns.Samsung Electronic
6441KM48L16031BT-FY128 Mo de DDR SDRAM. Version 0.61, fréq exploitation. 133 MHz, vitesse de 7,5 ns.Samsung Electronic
6442KM48L16031BT-FZ128 Mo de DDR SDRAM. Version 0.61, fréq exploitation. 133 MHz, vitesse de 7,5 ns.Samsung Electronic
6443KM48L16031BT-G(F)0Version 0,61 De Spécifications de DDR SDRAMSamsung Electronic
6444KM48L16031BT-G(F)YVersion 0,61 De Spécifications de DDR SDRAMSamsung Electronic
6445KM48L16031BT-G(F)ZVersion 0,61 De Spécifications de DDR SDRAMSamsung Electronic
6446KM48L16031BT-G(L)0Version 1,0 De Spécifications de DDR SDRAMSamsung Electronic
6447KM48L16031BT-G(L)YVersion 1,0 De Spécifications de DDR SDRAMSamsung Electronic
6448KM48L16031BT-G(L)ZVersion 1,0 De Spécifications de DDR SDRAMSamsung Electronic
6449KM48L16031BT-G0128 Mo de DDR SDRAM. Version 0.61, fréq exploitation. 100 MHz, vitesse de 10 ns.Samsung Electronic
6450KM48L16031BT-GY128 Mo de DDR SDRAM. Version 0.61, fréq exploitation. 133 MHz, vitesse de 7,5 ns.Samsung Electronic
6451KM48L16031BT-GZ128 Mo de DDR SDRAM. Version 0.61, fréq exploitation. 133 MHz, vitesse de 7,5 ns.Samsung Electronic
6452KM48S160304M x 8Bit X DRACHME synchrone de 4 banquesSamsung Electronic
6453KM48S16030A4M x 8Bit X DRACHME synchrone LVTTL de 4 banquesSamsung Electronic
6454KM48S16030AT-G/F10128Mbit SDRAM 4M x 8Bit X DRACHME synchrone LVTTL de 4 banquesSamsung Electronic
6455KM48S16030AT-G/F8128Mbit SDRAM 4M x 8Bit X DRACHME synchrone LVTTL de 4 banquesSamsung Electronic
6456KM48S16030AT-G/FA128Mbit SDRAM 4M x 8Bit X DRACHME synchrone LVTTL de 4 banquesSamsung Electronic
6457KM48S16030AT-G/FH128Mbit SDRAM 4M x 8Bit X DRACHME synchrone LVTTL de 4 banquesSamsung Electronic



6458KM48S16030AT-G/FL128Mbit SDRAM 4M x 8Bit X DRACHME synchrone LVTTL de 4 banquesSamsung Electronic
6459KM48S16030B4M x 8Bit X DRACHME synchrone LVTTL de 4 banquesSamsung Electronic
6460KM48S16030BT-G/F10128Mbit SDRAM 4M x 8Bit X DRACHME synchrone LVTTL de 4 banquesSamsung Electronic
6461KM48S16030BT-G/F8128Mbit SDRAM 4M x 8Bit X DRACHME synchrone LVTTL de 4 banquesSamsung Electronic
6462KM48S16030BT-G/FA128Mbit SDRAM 4M x 8Bit X DRACHME synchrone LVTTL de 4 banquesSamsung Electronic
6463KM48S16030BT-G/FH128Mbit SDRAM 4M x 8Bit X DRACHME synchrone LVTTL de 4 banquesSamsung Electronic
6464KM48S16030BT-G/FL128Mbit SDRAM 4M x 8Bit X DRACHME synchrone LVTTL de 4 banquesSamsung Electronic
6465KM48S16030T-G/F104M x 8Bit X DRACHME synchrone de 4 banquesSamsung Electronic
6466KM48S16030T-G/F84M x 8Bit X DRACHME synchrone de 4 banquesSamsung Electronic
6467KM48S16030T-G/FH4M x 8Bit X DRACHME synchrone de 4 banquesSamsung Electronic
6468KM48S16030T-G/FL4M x 8Bit X DRACHME synchrone de 4 banquesSamsung Electronic
6469KM48S80302M x 8Bit X DRACHME synchrone de 4 banquesSamsung Electronic
6470KM48S80302M x 8Bit X DRACHME synchrone de 4 banquesSamsung Electronic
6471KM48S8030C2M x 8Bit X DRACHME synchrone de 4 banquesSamsung Electronic
6472KM48S8030CT-G/FA2M x 8Bit X DRACHME synchrone de 4 banquesSamsung Electronic
6473KM48S8030CT-G_F102M x 8 bits x 4 banques DRAM synchrone, alimentation de 3,3 V, LVTTL, 100MHzSamsung Electronic
6474KM48S8030CT-G_F72M x 8 bits x 4 banques DRAM synchrone, alimentation de 3,3 V, LVTTL, 143MHzSamsung Electronic
6475KM48S8030CT-G_F82M x 8 bits x 4 banques DRAM synchrone, alimentation de 3,3 V, LVTTL, 125MHzSamsung Electronic
6476KM48S8030CT-G_FH2M x 8 bits x 4 banques DRAM synchrone, alimentation de 3,3 V, LVTTL, 100MHzSamsung Electronic
6477KM48S8030CT-G_FL2M x 8 bits x 4 banques DRAM synchrone, alimentation de 3,3 V, LVTTL, 100MHzSamsung Electronic
6478KM48S8030D64Mbit SDRAM 2M x 8Bit X DRACHME synchrone LVTTL de 4 banquesSamsung Electronic
6479KM48S8030DT-G_F82M x 8 bits x 4 banques DRAM synchrone, alimentation de 3,3 V, LVTTL, 125MHzSamsung Electronic
6480KM48S8030DT-G_FA2M x 8 bits x 4 banques DRAM synchrone, alimentation de 3,3 V, LVTTL, 133MHzSamsung Electronic
6481KM48S8030DT-G_FH2M x 8 bits x 4 banques DRAM synchrone, alimentation de 3,3 V, LVTTL, 100MHzSamsung Electronic
6482KM48S8030DT-G_FL2M x 8 bits x 4 banques DRAM synchrone, alimentation de 3,3 V, LVTTL, 100MHzSamsung Electronic
6483KM48V2000BRAM dynamique de 2M x 8Bit CMOS avec le mode rapide de pageSamsung Electronic
6484KM48V2000BK-5RAM dynamique 2M x 8 bits CMOS avec mode page rapide, 3.3V, 50nsSamsung Electronic
6485KM48V2000BK-6RAM dynamique 2M x 8 bits CMOS avec mode page rapide, 3.3V, 60nsSamsung Electronic
6486KM48V2000BK-7RAM dynamique 2M x 8 bits CMOS avec mode page rapide, 3.3V, 70nsSamsung Electronic
6487KM48V2000BKL-5RAM dynamique 2M x 8 bits CMOS avec mode page rapide, 3.3V, 50nsSamsung Electronic
6488KM48V2000BKL-6RAM dynamique 2M x 8 bits CMOS avec mode page rapide, 3.3V, 60nsSamsung Electronic
6489KM48V2000BKL-7RAM dynamique 2M x 8 bits CMOS avec mode page rapide, 3.3V, 70nsSamsung Electronic
6490KM48V2000BS-5RAM dynamique 2M x 8 bits CMOS avec mode page rapide, 3.3V, 50nsSamsung Electronic
6491KM48V2000BS-6RAM dynamique 2M x 8 bits CMOS avec mode page rapide, 3.3V, 60nsSamsung Electronic
6492KM48V2000BS-7RAM dynamique 2M x 8 bits CMOS avec mode page rapide, 3.3V, 70nsSamsung Electronic
6493KM48V2000BSL-5RAM dynamique 2M x 8 bits CMOS avec mode page rapide, 3.3V, 50nsSamsung Electronic
6494KM48V2000BSL-6RAM dynamique 2M x 8 bits CMOS avec mode page rapide, 3.3V, 60nsSamsung Electronic
6495KM48V2000BSL-7RAM dynamique 2M x 8 bits CMOS avec mode page rapide, 3.3V, 70nsSamsung Electronic
6496KM48V2100BRAM dynamique de 2M x 8Bit CMOS avec le mode rapide de pageSamsung Electronic
6497KM48V2100BK-5RAM dynamique 2M x 8 bits CMOS avec mode page rapide, 3.3V, 50nsSamsung Electronic
6498KM48V2100BK-6RAM dynamique 2M x 8 bits CMOS avec mode page rapide, 3.3V, 60nsSamsung Electronic
6499KM48V2100BK-7RAM dynamique 2M x 8 bits CMOS avec mode page rapide, 3.3V, 70nsSamsung Electronic
6500KM48V2100BKL-5RAM dynamique 2M x 8 bits CMOS avec mode page rapide, 3.3V, 50nsSamsung Electronic

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